低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器，就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。频率特性好，电荷量值高，温度系数小，不能做成大的容量。广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是**常用的电子元件之一。甘肃X电容原理

介质损耗，电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示（在电容器的等效电路中，串联等效电阻ESR同容抗1/ωC之比称之为Tanδ，这里的ESR是在120Hz下计算获得的值。显然，Tanδ随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大）。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。散逸因数dissipationfactor(DF)存在于所有电容器中，有时DF值会以损失角tanδ表示。此参数愈低愈好。但铝电解电容此参数比较高。甘肃X电容原理当电容器着火时，就立即断开电源，并用砂子和干式灭火器灭火。

高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压。高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。1.MLCC(1类)—微型化，高频化，**损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中。2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

独石电容器(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成。是一种小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器。高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，容量误差较大。一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量。金属化聚丙烯电容器一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。一定要避免电容工作于谐振频率以上。

聚合物电容是采用高电导率的聚合物材料作为阴极的片式叠层铝电解电容器，具有超越现有液体片式铝电解电容器和固体片式钽电解电容器的***电性能。聚合物电容在额定电压范围内，无需降压使用。具有极低的等效串联电阻(ESR)，降低纹波电压能力强，允许通过更大纹波电流。聚合物片式叠层铝电解电容器在高频下，阻抗曲线呈现近似理想电容器特性。在频率变化情况下，电容量非常稳定。此类电容器主要应用于主板（笔记本电脑、平板显示器、数字交换机）旁路去耦/储能滤波电容、开关电源、DC/DC变换器、高频噪声抑制电路及便携式电子设备等。目前常见的钽电容有三种失效模式：电压型、电流型和发热型。甘肃X电容原理

聚合物电容是采用高电导率的聚合物材料作为阴极的片式叠层铝电解电容器。甘肃X电容原理

钽电容由于介质层是由阳极金属在电解液中氧化而成，而生成的介质薄膜在外加电压的作用下产生热量，容易使其生产电阻率很高的氧化物。从而相当于修复了氧化膜中存在缺陷、裂痕等疵点，即具有自愈作用。这种独特自愈性能，保证了其长寿命和可靠性的优势。固体钽电容器电性能优良，工作温度范围宽，而且形式多样，体积效率优异，具有其独特的特征：钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。此层氧化膜介质与组成电容器的一端极结合成一个整体，不能单独存在。由于阳极块中具有很多微孔结构，使其单位体积内所具有的电容量特别大，即比容量高，因此适宜于小型化电路板。甘肃X电容原理

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