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来源: 发布时间:2023-06-13

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。TVS与MOV比,具有较低的钳位电压。80KATVS残压

要减少 TVS 短路失效,首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在 10 %以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了 TVS 的可靠性。其次,做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使 TVS 发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在 TVS 前串接一条与之匹配的保险丝。广东3RTVS替代POE接口电源线一般采用SMCJ58CA、SMDJ58CA或5.0SMDJ58CA进行保护。

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR来说,VWM=0.81VBR。

对于做汽车电子硬件设计的工程师来说,ISO7627-2这个标准是***不会陌生,这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度,只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了,分别是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截图是从ISO7637-2 2004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了)。对于从1到4的几个波形,基本上都是一些时间极短的脉冲,虽然正负电压的幅值很高,但是能量很小,基本上电路上不用做太多特殊的防护,单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来,而对5a,5b波形,就需要做专门的应对了,而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。TVS可以通过串联的方式减小TVS的结电容。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装:分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W;②其它系列名表示同轴引线封装:P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W,SA为500W、3KP为3000W,其余类推(型号名KP或KPA前面的数字表示kW数)。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值(VBR);②其它系列中**反向断态电压值(VRWM)。A表示单向,CA表示双向。注意:SAC(500W)、LCE(1500W)系列是低电容的TVS管,只有单向,没有双向。TVS硬击穿可表现为晶体管图示仪上伏安曲线直接呈现一条直线。广东方形TVS失效模式

单向电路中可选用单向TVS进行过压保护。80KATVS残压

分类不同:TVS管:按极性,可分为单、双极性;按用途,可分为通用型、**型;稳压管:按稳压高低,可分为低压二极管和高压稳压二极管;按材料,可分为N型和P型。用途不同:TVS管:用于瞬态电压保护;TVS管电压精度是在一定范围内;TVS管通流能力能达到几百安;在稳压值当方面,TVS管6.8v-550V;稳压管:对漏极和源极进行箝位保护;精确度方面较高;稳压管的耐浪涌电流小;稳压管电压范围一般为3.3V-75V。。。。。。。。。。。。。。80KATVS残压

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