根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平。江苏1500W瞬态抑制二极管测试
平时在做浪涌测试时,总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压,如差模2KV,共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时,也就经常考虑这个问题,TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。在TVS选型时,有很多参数需要考虑,如钳位电压、击穿电压、脉冲峰值电流和负载电容等。这里不讨论其他参数,只关注如何计算出所能承受的浪涌电压。下图中提到了的两个参数:比较大钳位电压和脉冲峰值电流,其承受的比较大浪涌功率为比较大钳位电压*脉冲峰值电流=24.4V*24.6A=600.24W。这也是我们常说的SMB系列TVS能承受600W功率。如果没有特殊说明,这个功率是在10/1000us浪涌测试波形下测量的。湖南200W瞬态抑制二极管封装当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,皮秒级的速度变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率。
来明电子团队在电路保护领域深耕多年,从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们为客户提供全系列TVS产品,瞬态峰值脉冲功率等级从200W至30000W,另有可替代MOV用超级TVS产品,产品电流可分为3kA,6kA,10kA,可达16kA。产品封装类型有SOD-123,SOD-123FL,SMA(DO-214AC),SMAF,SMB(DO-214AA),SMC(DO-214AB),SMBF,SMCF,DO-15,DO-41,DO-201,DO-218AB,TO-277等。并可提供车规级TVS器件,特殊需求可根据客户要求定制。。
瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速 器、工控回路、继电器、天线,防雷模块,USB接口,HDMI接口,接触器噪音的抑制等各个领域。利用TVS 二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰。
PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通,PN结加正向电压时导通,(1)PN结加正向电压时导通,如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。要减少 TVS 短路失效,首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制,以减少或消除 TVS 的固有缺陷。山东瞬态抑制二极管封装
瞬态电压抑制二极管简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。江苏1500W瞬态抑制二极管测试
TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA,相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少,但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态,此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下,当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时,它在极短的时间内(比较高可达到1×10-12秒)迅速转入反向导通状态,并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上,从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。江苏1500W瞬态抑制二极管测试
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