TVS和稳压管的区别表现在一些方面，***分类不同：TVS管：按极性，可分为单、双极性；按用途，可分为通用型、**型；稳压管：按稳压高低，可分为低压二极管和高压稳压二极管；按材料，可分为N型和P型。用途不同：TVS管：用于瞬态电压?；ぃ籘VS管电压精度是在一定范围内；TVS管通流能力能达到几百安；在稳压值当方面，TVS管6.8v-550V；稳压管：对漏极和源极进行箝位?；?；精确度方面较高；稳压管的耐浪涌电流?。晃妊构艿缪狗段б话阄?.3V-75V。TVS的钳位时间对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。安徽插件瞬态抑制二极管失效

反向击穿性PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压?；镜幕鞔┗褂辛街郑此淼阑鞔ㄒ步衅肽苫鞔┖脱┍阑鞔罢呋鞔┑缪剐∮?V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。陕西5000W瞬态抑制二极管原理DO-201封装的TVS有1.5KE系列（5000W）、LCE系列。

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齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。瞬态电压抑制器TVS可以在－55~+150℃之间工作。

选用技巧编辑播报1、确定被?；さ缏返谋冉洗笾绷骰蛄ぷ鞯缪?、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被?；さ缏返乃鸹档缪?。4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被?；さ缏纺诳赡艹鱿值姆逯德龀骞β省Ｔ谌范ū冉洗篌槲坏缪购?，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。DO-41封装的TVS一般有P4KE系列（400W）。北京SMA瞬态抑制二极管功率计算

TVS 的比较大峰值脉冲功耗PM 必须大于被?；さ缏纺诳赡艹鱿值姆逯德龀骞β?。安徽插件瞬态抑制二极管失效

PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。安徽插件瞬态抑制二极管失效

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