PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。河北400W瞬态抑制二极管参数

8）DO-201封装：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；9）R-6/P600封装：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封装：蓝宝宝浪涌抑制器KA系列；DO-218AB封装：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封装：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。河北400W瞬态抑制二极管参数利用TVS 二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰。

在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地?；さ缱酉呗分械木茉骷馐芩鸹?。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10^-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃，T=10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。

当PN结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于1对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，**终达到耗尽区载流子数目激增，PN结发生雪崩击穿。P4KE、P6KE、1.5KE系列中的数字**击穿电压标称值（VBR）。

TVS瞬态抑制二极管失效模式：1：当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2：当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全，TVS通流量过小造成的。3：电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致（器件内部结构变化、散热能力下降）过热烧毁。当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时，易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。北京8000W瞬态抑制二极管选型

SMA/DO-214AC封装的TVS一般有MAJ，P4SMA，TPSMAJ，SMA6J等系列。河北400W瞬态抑制二极管参数

要减少TVS短路失效，首先应加强TVS制造工艺过程的控制，尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制，以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下，采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制，这些都**提高了TVS的可靠性。其次，做到TVS的正确选型与安装，比较好对TVS进行降额使用，这样可使TVS承受的功率较小，使用可靠性**增加。此外，为使TVS发生短路失效时对被?；さ缱由璞傅挠跋旖档奖冉系?，通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。河北400W瞬态抑制二极管参数

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