LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。LED的**显着特点是使用寿命长，光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。LD是激光二极管的英文缩写，激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱，激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了***的应用。二者在原理、架构、效能上的差别。（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。（3）效能上的差别：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。 常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封)。浙江小信号整流二极管电压

测量双向触发二极管的转折电压的方法：先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。测量双向触发二极管的转折电压的方法：用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。江苏二极管作用由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

由于多种原因，当前***使用的是可视激光二极管(英文简称"VLD""Visible Laser Diode")。激光二极管的可靠性非常好，寿命要比氦氖激光长几倍，而且工作电压很低（通常只有2伏），没有特殊供电要求。它们的封装非常小而轻，并且密封坚固。由于耗能非常小，它们可用在直接从计算机甚至电池取电的条形码读码器中。之所以选用可视激光而不是红外激光，是因为IR类型的扫描仪不能识读打印在某些特殊材质上的条形码。尽管条码本身在人眼看来是暗条打印在浅色背景上，红外激光与可见光的被吸收程度是不同的。

TVS瞬态抑制二极管是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。 高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。

触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。测量双向触发二极管的转折电压的方法：将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。 当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。浙江小信号整流二极管电压

开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间。浙江小信号整流二极管电压

新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，**终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。浙江小信号整流二极管电压

上海来明电子有限公司是一家一般项目: 电子产品、电子元器件、电动工具、机电设备、仪器仪表、通讯器材(除卫星电视广播地面接收设施)、音响设备及器材、金属材料、日用百货的销售，电子元器件的制造。加工(以上限分支机构经营)。(除依法须经批准的项目外。凭营业执照依法自主开展经营活动) 许可项目: 货物进出口;技术进出口:进出口代理。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。公司自创立以来，投身于TVS、ESD、MOV，放电管、保险丝、继电器，二三极管MOS管、晶振，NTC，PPTC，电容，是电子元器件的主力军。来明电子致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心，为用户带来良好体验。来明电子始终关注自身，在风云变化的时代，对自身的建设毫不懈怠，高度的专注与执着使来明电子在行业的从容而自信。