2具体电路实现电路结构框图如图1所示。该电路选取单向桥式半控整流电路，降低了成本。大功率或大电流的稳压电源，一般采用L－C滤波电路。但是，大电流的滤波电抗器体积大，重量重，价格也较贵，因此，在该稳压电源的设计中仍采用大电容滤波。线性稳压器部分仍采用串联反馈调整型稳压器原理，构成一个闭环反馈系统。主要包括：调整管，取样电路，基准电压源，误差比较放大器。由于该稳压电源输出电流20A，电流很大，所以，为减小调整管功耗，采用并联形式，在本电源中，调整管用两个大功率三极管并联，使每管流过电流为10A左右。这样，每个管子的功耗不大于40W，减小了调整管功耗。调整管集电极电流为10A左右，因此应采用大功率晶体三极管，选取β＝40～50，这样，基极电流应达2×0．3A，即600mA。而一般集成运算放大器输出电流只有几十毫安级，不能让比较放大电路的输出端直接来推动调整管，因此在比较放大电路的输出端与调整管的基极之间，加入推动级，此处选择一个小功率三极管，构成复合管的形式。启动电阻Rc取2k。防振电容C取10μF。在稳压电路中，基准源是整个稳压系统工作的参考，稳压的**终效果取决于基准源的水平。因此，该电源中。在自动化设备中,用无触点开关代替通用继电器已被逐步应用。其***特点是无噪音,寿命长。江西逆导可控硅

可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。驱动可控硅订做当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按?5mv/只/℃）。

    采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB)，如图5所示。图6中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同，也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试，所得结果如图7所示，在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0，当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时，其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号，探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是，T1-T2之间的电压等于电源电压值，表明该电路没有导通，当触发信号脉冲到来时，T1-T2两端的电压值为0，表明模块电路已经导通。4结束语在详细解读了双向可控硅的内部结构和工作原理的基础之上，设计了一款以7个三极管为主要元器件和电阻电容可以被双向触发的控制电路。利用常用的对管S8050和S8550制作出实验电路验证了该电路的正确性。在今后具体运用过程中可以通过对此电路的相关器件做适当调整来满足具体的需求和设计要求。同时。

    用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为***阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为***阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接***阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接***阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律。调整器具有多种控制信号选择。

    焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。江西逆导可控硅

严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hFE参数的依赖程度。江西逆导可控硅

    10ms内截止输出过热保护主回路SCR温度>75℃,截止输出相序保护输入电源相序错误报警环境温度－5～+45℃湿度≤90%RH，无水珠凝结海拔高度低于1000米(超过1000米降额使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶闸管闭环技术可控硅调压器采用移相触发控制方式，输出电压、电流或功率连续可调，具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。三相晶闸管闭环技术触发板的原理框图，其控制原理为一个典型的双闭环控制，电流环为内环，电压环为外环。现以调压器的“恒电压控制特性”来介绍其控制原理。调节过程如下：给定信号(Ug)、电压反馈信号(Uf)、电流反馈信号(If)当由于某种原因使调压器输出电压降低时(如电网电压降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→调压器输出电压U↑***达到Uf与Ug相互平衡，调压器输出稳定电压。。图2-1恒电压原理框图电流环作用是，在突加负载或负载电流超过限流值时，限制调压器的输出电流在额定电流范围内，确保输出和调压器正常工作。其调节过程如下：U0恒定，负载电流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→调压器输出电压U↓——If↓；同时电压环也参与调节，使调压器的输出电流被限制在额定电流范围内。江西逆导可控硅

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