P3电位器调整。调整范围*电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~****电流限制（选件）：内置电流变换器，外接10KΩ电位器调整。调整范围20%~****过流报警（选件）：内置电流变换器，板内P2电位器调整。调整范围***~150%*散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：<10ms*起动/停止开关:外接开关*调功/调压切换(选件):外接开关*工作环境:温度范围：-30~+50℃湿度范围：90%RH比较大无结露海拔高度2000m以下存储温度：-30~+60℃其它要求：通风良好，不受日光直射或热辐射，无腐蚀性、可燃性气体*安装形式和要求:壁挂式，垂直安装绝缘电阻:?？槭涑龆擞胪饪?，500VDC；**小控制板电源端与外壳，500VDC；控制输入端与外壳，500VDC；控制板输入端与电源端，500VDC*介电强度：?？槭涑龆擞胪饪侵?，2000VAC1分钟；控制电源端与外壳之间，2000VAC1分钟单相电力调整器是移相型闭环电力控制器，其**部件采用国外生产的高性能、高可靠性的**级可控硅触发**集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。现场调试一般不需要示波器即可完成。 可控硅调整器能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。盐城逆变器可控硅

工作原理

本控制器输出触发脉冲必须同时具备两个条件，分别是：控制输入有效和可控硅两端电压为零，两个条件缺其中任何一个都不能输出触发脉冲?？刂菩藕庞行У慕显缰懿觳夤悖闾跫慵词涑龃シ⒙龀?，在以后的控制信号有效的时间段内持续输出触发脉冲。

性能特点

高可靠的可控硅电压过零触发，三相**控制，脉冲隔离输出，安全可靠。

有自同步功能，免去传统可控硅电路认定同步和相序的麻烦，使用与调试方便。

适用于阻性负载、感性负载、容性负载等类型。

一体化结构，接线简单，互换性好。

驱动能力强，每路可以输出600毫安的电流，6V触发电压,可以驱动4000A可控硅。

工作可靠,有非常强的抗干扰能力，适用性强，耐压高。

盐城逆变器可控硅输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。

    焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确?？翘逦露炔怀疃ㄖ?，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

    该充电器除可为各种镍镉电池充电外，也可为干电池充电。其充电电流可调。充电终止电压由RP1预先确定?？汲涞缡?，电池组两端电压较低，不足以使晶体管VT导通。由RC组成的移相电路给可控硅提供触发电流。移相角度由RP2决定。负半周时可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式经电池组充电。调整RP2即可调整充电电流，比较大充电电流由R1既定。指示灯串在电路中以指示充电情况和充电电流的大小。R3用以调节指示灯的亮度。当电池组电压慢慢升高，快到预定值时，三极管开始导通，可控硅的导通角减小，充电电流下降，直至完全截止，这样充电自动停止，并使电池组保持在预定电压上。因为当电压下降时，晶体管又趋向截止，可控硅重新启动，不过此时导通角很小，电流出很小，对充电电池有?；ぷ饔?，防止过充。元器件选择与制作元器件清单见下表。编号名称型号数量R1电阻（需调整）1R2电阻1R3电阻根据指示灯选用1RP1电位器100K1RP2电位器2K1C涤纶电容1VD1、VD2晶体二极管2CP类2VT晶体三极管3DG类1VS单向可控硅1A/25V1元器件连接完成，检查无误，即可进行调整。调整时，将电流表串在输入回路中，先将R3短路，RP2旋至阻值**小处，调整R1?？煽毓璧髡骺捎?80V电源频率为50HZ/60HZ电**殊电压要求可定制。

    控制交流负载回路的通断，通常会用到继电器。继电器是机械式触点的电磁元器件，可以实现弱电控制强电的目的。但是在带电流分断负载回路时，会产生电弧腐蚀触点，降低了继电器的使用寿命，并且继电器触点的响应时间在ms级别，不适合用于高速通断的回路中。题目不想用继电器来控制交流回路的通断，那么可以考虑使用可控硅来实现。1什么是可控硅可控硅是具有四层结构的PNPN型半导体器件，可以看作是由两个三极管所构成的元器件，可控硅的半导体结构如下图所示?？煽毓璐拥纪ǚ较蚩梢苑治ハ蚩煽毓鑃CR和双向可控硅Triac。单向可控硅的三个电极分别是阳极A、阴极K和控制极G；双向可控硅的三个电极分别为T1，T2以及控制G?？煽毓璧脑诘纪ê螅笆苯刂菩藕湃サ簦煽毓枞匀淮τ诘纪ㄗ刺?。在交流负载回路中，一般使用双向可控硅。2可控硅控制回路的设计单片机控制可控硅回路的通断时，比较好使用光耦做隔离。所设计的可控硅控制电路如下图所示。单片机的输出端接三极管的基极，通过三极管来控制光耦的通断，图中以灯泡作为负载。当单片机输出高电平时，光耦导通，此时可控硅的控制极有触发信号，并且T1和T2上的交流电源满足导通条件。单片机输出低电平时，光耦截止。触发板应用于工业各领域的电压电流调节，用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等。灵敏可控硅采购

电压、电流、功率、灯光(高压钠灯控制必须用稳压功能配套PID控制板)等无级平滑调节。盐城逆变器可控硅

    2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化。盐城逆变器可控硅

上?？碌缱涌萍加邢薰臼且患矣凶判酆袷盗Ρ尘?、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标，有组织有体系的公司，坚持于带领员工在未来的道路上大放光明，携手共画蓝图，在上海市等地区的电子元器件行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源，也收获了良好的用户口碑，为公司的发展奠定的良好的行业基础，也希望未来公司能成为*****，努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量，我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息，斗志昂扬的的企业精神将**上?？碌缱涌萍脊┯湍黄鹦植饺牖曰?，共创佳绩，一直以来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，员工精诚努力，协同奋取，以品质、服务来赢得市场，我们一直在路上！