5.光控晶闸管检测用万用表检测小功率光控晶闸管时,可将万用表置于R×1档,在黑表笔上串接1~3节1.5V干电池,测量两引脚之间的正、反向电阻值,正常时均应为无穷大。然后再用小手电筒或激光笔照射光控晶闸管的受光窗口,此时应能测出一个较小的正向电阻值,但反向电阻值仍为无穷大。在较小电阻值的一次测量中,黑表笔接的是阳极A,红表笔接的是阴极K。也可用图lO中电路对光控晶闸管进行测量。接通电源开关S,用手电筒照射晶闸管VT的受光窗口。为其加上触发光源(大功率光控晶闸管自带光源,只要将其光缆中的发光二极管或半导体激光器加上工作电压即可,不用外加光源)后,指示灯EL应点亮,撤离光源后指示灯EL应维持发光。若接通电源开关S后(尚未加光源),指示灯FL即点亮,则说明被测晶闸管已击穿短路。若接通电源开关、并加上触发光源后,指示灯EL仍不亮,在被测晶闸管电极连接正确的情况下,则是该晶闸管内部损坏。若加上触发光源后,指示灯发光,但取消光源后指示灯即熄灭,则说明该晶闸管触发性能不良。(1)判别各电极:根据BTG晶闸管的内部结构可知,其阳极A、阴极K之间和门极G、阴极K之间均包含有多个正、反向串联的PN结,而阳极A与门极G之问却只有一个PN结。因此。硅材料的禁带宽度较大,导热性能良好,适于制作大功率整流器件。南京可控硅直销
也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中,vT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯(手电筒中的小电珠),GB为6V电源(可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源),S为按钮,R为限流电阻。当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮(若此时HL亮,则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压),若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮S断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良。2.双向晶闸管的检测(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。南京可控硅采购触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能。
自由调节输出负载的能力较好。附图说明图1是本实用新型实施例相交流固态调压器的电路示意图。具体实施方式下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明,以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。参见图1,本实施例一种单相交流固态调压器,其电路结构如下:整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端,整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极,稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2,稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1,所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极,光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极,光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极,NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端,电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1,单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1,变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1,变压器B1的输出端1连接电源输出端1,变压器B2的输出端2连接电源输出端2,所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1。
2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化。可控硅触发板用于单相、三相电焊机控制、电解电镀控制等。
工作原理
本控制器输出触发脉冲必须同时具备两个条件,分别是:控制输入有效和可控硅两端电压为零,两个条件缺其中任何一个都不能输出触发脉冲。控制信号有效的较早周波检测过零,过零条件满足即输出触发脉冲,在以后的控制信号有效的时间段内持续输出触发脉冲。
性能特点
高可靠的可控硅电压过零触发,三相**控制,脉冲隔离输出,安全可靠。
有自同步功能,免去传统可控硅电路认定同步和相序的麻烦,使用与调试方便。
适用于阻性负载、感性负载、容性负载等类型。
一体化结构,接线简单,互换性好。
驱动能力强,每路可以输出600毫安的电流,6V触发电压,可以驱动4000A可控硅。
工作可靠,有非常强的抗干扰能力,适用性强,耐压高。
除了为负载供电外,整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内,将蓄电池的放电功率恢复到95%。南京可控硅采购
整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路,将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量(KW)的15%。南京可控硅直销
**交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其比较高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,比较大功率才能达到30W。(6)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。单向可控硅、双向可控硅检测可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有***阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压。南京可控硅直销
上海凯月电子科技有限公司是一家从事电子科技领域内的技术开发,技术服务,技术咨询,电子元器件,电子系统设备,计算机,软件及辅助设备(除计算机信息系统安全**产品),电子元器件,可控硅半导体模块,电子数码产品,通信设备及相关产品,通讯器材销售。的公司,致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。上海凯月电子科技作为电子元器件的企业之一,为客户提供良好的可控硅触发板,电力调整器,SCR调功器,SCR整流器。上海凯月电子科技不断开拓创新,追求出色,以技术为先导,以产品为平台,以应用为重点,以服务为保证,不断为客户创造更高价值,提供更优服务。上海凯月电子科技始终关注电子元器件行业。满足市场需求,提高产品价值,是我们前行的力量。