应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。图1为几种普通晶闸管的引脚排列。(2)判断其好坏：用万用表R×1kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2kΩ)，反向电阻值较**于80kΩ)。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效。可控硅调整器采用移相式触发方式、适用于阻性负载、感性负载、变压器一次侧等各种负载类型。单相整流可控硅经销

    10ms内截止输出过热保护主回路SCR温度>75℃,截止输出相序保护输入电源相序错误报警环境温度－5～+45℃湿度≤90%RH，无水珠凝结海拔高度低于1000米(超过1000米降额使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶闸管闭环技术可控硅调压器采用移相触发控制方式，输出电压、电流或功率连续可调，具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。三相晶闸管闭环技术触发板的原理框图，其控制原理为一个典型的双闭环控制，电流环为内环，电压环为外环。现以调压器的“恒电压控制特性”来介绍其控制原理。调节过程如下：给定信号(Ug)、电压反馈信号(Uf)、电流反馈信号(If)当由于某种原因使调压器输出电压降低时(如电网电压降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→调压器输出电压U↑***达到Uf与Ug相互平衡，调压器输出稳定电压。。图2-1恒电压原理框图电流环作用是，在突加负载或负载电流超过限流值时，限制调压器的输出电流在额定电流范围内，确保输出和调压器正常工作。其调节过程如下：U0恒定，负载电流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→调压器输出电压U↓——If↓；同时电压环也参与调节，使调压器的输出电流被限制在额定电流范围内。南京可控硅直销整流器***用于各种形式的整流电源中。

    也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中，vT为被测晶闸管，HL为6．3V指示灯(手电筒中的小电珠)，GB为6V电源(可使用4节1．5V干电池或6V稳压电源)，S为按钮，R为限流电阻。当按钮S未接通时，晶闸管VT处于阻断状态，指示灯HL不亮(若此时HL亮，则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下，为晶闸管VT的门极G提供触发电压)，若指示灯HL一直点亮，则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低，则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时，指示灯亮，而按钮S断开时，指示灯熄灭，则说明晶闸管已损坏，触发性能不良。2．双向晶闸管的检测(1)判别各电极：用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其他两脚均不通，则此脚便是主电极T2。找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值，会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中，黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。

    控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通。可控硅调整器可用380V电源频率为50HZ/60HZ电**殊电压要求可定制。

    用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为***阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为***阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接***阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接***阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律。一台仪表可以同时控制多台触发板。西门康可控硅调功

以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。单相整流可控硅经销

    正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:***，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，***垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。单相整流可控硅经销

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