双向晶闸管（Triac）是一种能双向导通的半导体功率器件，本质上相当于两个反并联的普通晶闸管（SCR）集成在同一芯片上。其结构由五层半导体（P-N-P-N-P）构成，拥有三个电极：主端子 T1、T2 和门极 G。与单向晶闸管不同，双向晶闸管无论在交流电压的正半周还是负半周，只要门极施加合适的触发信号，就能导通。触发方式分为四种模式：T2 为正，G 为正（模式 Ⅰ+）；T2 为正，G 为负（模式 Ⅰ-）；T2 为负，G 为正（模式 Ⅲ+）；T2 为负，G 为负（模式 Ⅲ-）。其中，模式 Ⅰ+ 的触发灵敏度*高，模式 Ⅲ- *低。双向晶闸管的伏安特性曲线关于原点对称，体现了其双向导电的特性。在交流电路中，通过控制触发角可实现对交流电的斩波调压，广泛应用于调光器、电机调速和家用电子设备中。例如，在台灯调光电路中，双向晶闸管可根据用户需求调节导通角，改变灯泡两端的有效电压，从而实现灯光亮度的平滑调节。 晶闸管与IGBT相比，耐压更高但开关速度较慢。高频晶闸管质量

晶闸管在实际应用中面临过压、过流、di/dt和dv/dt等应力，必须设计完善的保护电路以确保其安全可靠运行。
过压保护通常采用RC吸收电路和压敏电阻（MOV）。RC吸收电路并联在晶闸管两端，当出现电压尖峰时，电容充电限制电压上升率，电阻则消耗能量防止振荡。压敏电阻具有非线性伏安特性，当电压超过阈值时，其阻值急剧下降，将过电压钳位在安全范围内。例如，在感性负载电路中，晶闸管关断时会产生反电动势，RC吸收电路和MOV可有效抑制这一电压尖峰。
过流保护主要依靠快速熔断器和电流检测电路。快速熔断器在电流超过额定值时迅速熔断，切断电路；电流检测电路（如霍尔传感器）实时监测电流，当检测到过流时，通过控制电路提前关断晶闸管或触发保护动作。在高压大容量系统中，还可采用限流电抗器限制短路电流上升率。 ABB晶闸管产品介绍光控晶闸管模块以光信号触发，提供电气隔离，增强了系统的抗干扰能力。

由于在双向可控硅的主电极上，无论加以正向电压或是反向电压，也不管触发信号是正向还是反向，它都能被触发导通，因此它有以下四种触发方式：(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制极G对***电极Tl所加的也是正向触发信号。双向可控硅触发导通后，电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知，这时双向可控硅触发导通规律是按***象限的特性进行的，又因为触发信号是正向的，所以把这种触发叫做“***象限的正向触发”或称为I+触发方式。(2)如果主电极T2仍加正向电压，而把触发信号改为反向信号，这时双向可控硅触发导通后，通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做“***象限的负触发”或称为I-触发方式。(3)两个主电极加上反向电压U12，输入正向触发信号，双向可控硅导通后，通态电流从T1流向T2。双向可控硅按第三象限特性曲线工作，因此把这种触发叫做Ⅲ+触发方式。 (4)两个主电极仍然加反向电压U12，输入的是反向触发信号，双向可控硅导通后，通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发方式。 双向可控硅虽然有以上四种触发方式，但由于负信号触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠，因此在实际使用时，负触发方式应用较多。

晶闸管是一种重要的电力控制器件，它在电子和电力领域中发挥着关键的作用。其主要功能是控制电流流动，实现电力的开关和调节。
（1）交流-直流转换
晶闸管可以将交流电转换为直流电，这在一些特定的应用中很有用，如直流电动机的驱动、直流电源的获取等。
（2）电压控制
晶闸管还可以用来控制电路的电压，通过控制晶闸管的触发角来调整电压波形，实现对电路的电压进行调节。
（3）电力因数校正
晶闸管可以用来改善电力系统的功率因数。通过控制晶闸管的导通角，可以在电路中产生一定的谐波电流，从而改善系统的功率因数。

电力稳定性提升： 在电力系统中，晶闸管可以用于调整电压和电流，从而提高电力系统的稳定性，降低电力系统中的电压波动和电流浪涌。 温度补偿技术确保晶闸管模块在宽温范围内稳定工作。

（1）按晶闸管类型分类SCR模块：用于可控整流、电机驱动等，如三相全桥整流模块。TRIAC模块：适用于交流调压，如调光器、家电控制。GTO模块：用于高压大电流场合，如电力电子变换器、HVDC（高压直流输电）。IGCT模块（集成门极换流晶闸管）：结合GTO和IGBT优点，适用于兆瓦级变流器。
（2）按电路拓扑分类单管模块：单个晶闸管封装，适用于简单开关控制。半桥/全桥模块：用于整流或逆变电路，如变频器、UPS电源。三相整流模块：由6个SCR组成，用于工业电机驱动、电焊机等。
（3）按智能程度分类普通晶闸管模块：需外置驱动电路，如传统SCR模块。智能功率模块（IPM）：集成驱动、保护功能，如三菱的NX系列。 不间断电源（UPS）中，晶闸管模块用于切换备用电源。门极可关断晶闸管一般多少钱

晶闸管的触发角控制可调节输出电压或功率。高频晶闸管质量

晶闸管在实际应用中面临过压、过流、di/dt 和 dv/dt 等应力，必须设计完善的保护电路以确保其安全可靠运行。
di/dt保护是防止晶闸管在导通瞬间因电流上升率过大而损坏的关键。过大的di/dt会导致结温局部过高，甚至引发器件长久性损坏。通常在晶闸管阳极串联电感（如空心电抗器）或采用饱和电抗器，限制di/dt在允许范围内（一般为几十A/μs至几百A/μs）。
dv/dt保护用于防止晶闸管在阻断状态下因电压上升率过大而误触发。过高的dv/dt会使结电容充电电流增大，当该电流超过门极触发电流时，晶闸管将误导通。常用的dv/dt保护措施是在晶闸管两端并联RC缓冲电路，降低电压上升率。 高频晶闸管质量