三极管和MOS管的开关功能哪个略胜一筹我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出2020-08-30三极管的原理,开关ON和OFF,三个三极管是怎么导通的闭合开关，TR1导通致使TR2截止，使TR3基极电平升高，导通灯亮，断开开关时，TR1截止TR2导通，TR3截止灯灭2020-08-30三极管怎样做开关三极管在饱和导通(发射结和集电结都是正偏置)时,其CE极间电压很小,比PN结的导通电压还要低(硅管在)。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。天津常见MOS管值得推荐

    栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。2.[t1-t2]区间,GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID,Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。3.[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容增加,栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电,从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。4.[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电,Cgs电容的电压上升,至t4时刻为止.此时Cgs电容电压已达稳态,DS间电压也达小，MOSFET完全开启。北京品质MOS管供应商另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。

    这样不节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如图1所示。N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。

    当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，图1-2-(b)所示，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示?？刂普ぜ缪筕GS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性：上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都很小。

    随着社会的进步和发展，MOS管在电子行业的应用越来越广，萨科微电子SLKOR作为能够研发生产碳化硅SiC产品的“碳化硅**”，必须来科普一下这方面的知识。MOS即MOSFET的简写，全称是金属氧化物场效应晶体管。就是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。MOS管的构造、原理、特性、符号规则和封装种类等，大致如下。1、MOS管的构造：MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。它的栅极和其它电极间是绝缘的。同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。图1-1所示（a）、（b）分别是P沟道MOS管道结构图和符号。2、MOS管的工作原理：从图1-2-（a）可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。由于栅源之间寄生电容的存在，当栅极的驱动电压拉低时，MOS管并不会立即关断。北京品质MOS管供应商

放大倍数大、噪声小、功耗低等优良性能。天津常见MOS管值得推荐

    MOSFET）功率器件领域的优先，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，止步！高压mos管产品深圳KIA可易亚电子，专注于功率半导体开发得基础，在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研新型MOSFET系列产品，可以提供样品，以及有多种封装SOT-89TO-92、262、263、251、220F等。高压mos管产品特点（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数（5）场效应管的抗辐射能力强（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声。天津常见MOS管值得推荐

江苏芯钻时代电子科技有限公司发展规模团队不断壮大，现有一支专业技术团队，各种专业设备齐全。在江苏芯钻时代近多年发展历史，公司旗下现有品牌英飞凌,西门康,艾赛斯,巴斯曼等。公司坚持以客户为中心、一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子元器件批发；电子元器件零售；电子元器件与机电组件设备销售；电力电子元器件销售；电子设备销售；电子测量仪器销售；机械电气设备销售；风动和电动工具销售；电气设备销售；光电子器件销售；集成电路芯片及产品销售；半导体照明器件销售；半导体器件设备销售；半导体分立器件销售；集成电路销售；五金产品批发；五金产品零售；模具销售；电器辅件销售；电力设施器材销售；电工仪器仪表销售；电工器材销售；仪器仪表销售；办公设备销售；办公设备耗材销售；办公用品销售；日用百货销售；机械设备销售；超导材料销售；密封用填料销售；密封件销售；高性能密封材料销售；橡胶制品销售；塑料制品销售；文具用品批发；文具用品零售；金属材料销售；金属制品销售；金属工具销售；环境?；ど璞赶郏簧肪巢牧舷?；集成电路设计；集成电路芯片设计及服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）市场为导向，重信誉，保质量，想客户之所想，急用户之所急，全力以赴满足客户的一切需要。江苏芯钻时代电子科技有限公司主营业务涵盖IGBT模块，可控硅晶闸管，二极管模块，熔断器，坚持“质量保证、良好服务、顾客满意”的质量方针，赢得广大客户的支持和信赖。