EVG101光刻胶处理系统的技术数据：
可用模块：旋涂/ OmniSpray ® /开发
分配选项：
各种光刻胶分配泵，可覆盖高达52000 cP的粘度；
液体底漆/预湿/洗盘；
去除边缘珠（EBR）/背面冲洗（BSR）；
恒压分配系统/注射器分配系统。
智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）
用于过程和机器控制的集成分析功能
并行任务/排队任务处理功能，提高效率
设备和过程性能跟/踪功能：智能处理功能；事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪
晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米
EVG在1985年发明了世界上第/一个底部对准系统，可以在顶部和双面光刻。江西官方授权经销光刻机
EVG键合机掩模对准系列产品，使用**/先进的工程技术。
用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度，掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙，以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是**重要的标准。此外，整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念，使我们能够跳出思维框架，创造更先进的系统。 掩模对准光刻机售后服务可在众多应用场景中找到EVG的设备应用，包括高级封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS。
EVG6200 NT附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻（NIL）
EVG6200 NT技术数据：
曝光源
汞光源/紫外线LED光源
先进的对准功能
手动对准/原位对准验证
自动对准
动态对准/自动边缘对准
对准偏移校正算法
EVG6200 NT产能：
全自动：第/一批生产量：每小时180片
全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆
晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米
对准方式：
上侧对准：≤±0.5 μm
底侧对准：≤±1,0 μm
红外校准：≤±2,0 μm /具体取决于基板材料
键对准：≤±2,0 μm
NIL对准：≤±3.0 μm
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
楔形补偿：全自动软件控制
曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光
系统控制
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
实时远程访问，诊断和故障排除
工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
纳米压印光刻技术：SmartNIL
HERCULES 光刻轨道系统特征：
生产平台以**小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势；
多功能平台支持各种形状，尺寸，高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理；
高达52,000 cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征；
CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性；
OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的优化的涂层；
纳流®涂布，并通过结构的保护；
自动面膜处理和存储；
光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒；
使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎，薄或翘曲的晶圆处理；
返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统；
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）。 整个晶圆表面高光强度和均匀性是设计和不断提高EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。
EVG ® 105—晶圆烘烤模块
设计理念：单机EVG ® 105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。
特点：可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的**/佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300 mm的晶圆尺寸或4个100 mm的晶圆。
特征
**烘烤模块
晶片尺寸**/大为300毫米，或同时**多四个100毫米晶片
温度均匀性≤±1°C @ 100°C，**/高250°C烘烤温度
用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销
烘烤定时器
基材真空（直接接触烘烤）
N 2吹扫和近程烘烤0-1 mm距离晶片至加热板可选
不规则形状的基材
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米
烤盘：
温度范围：≤250°C
手动将升降杆调整到所需的接近间隙
EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗，并提高光刻胶涂层的均匀性。半导体光刻机推荐产品
EVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板，直径从2寸到300 mm。江西官方授权经销光刻机
EVG ® 150光刻胶处理系统技术数据：
模块数：
工艺模块：6
烘烤/冷却模块：**多20个
工业自动化功能：
Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口
智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）
用于过程和机器控制的集成分析功能
并行任务/排队任务处理功能
设备和过程性能跟/踪功能
智能处理功能
事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪
晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米
可用模块：
旋涂/ OmniSpray ® /开发
烘烤/冷却
晶圆处理选项：
单/双EE /边缘处理/晶圆翻转
弯曲/翘曲/薄晶圆处理
江西官方授权经销光刻机
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