接触探头测量弯曲和难测的表面

CP-1-1.3测量平面或球形样品，结实耐用的不锈钢单线圈。

CP-1-AR-1.3可以抑 制背面反射，对 1.5mm 厚的基板可抑 制 96%。 钢制单线圈外加PVC涂层，比较大可测厚度 15um。

CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直径 17.5mm。

CP-C6-1.3探测直径小至 6mm 的圆柱形和球形样品外侧。

CP-C12-1.3用于直径小至 12mm 圆柱形和球形样品外侧。

CP-C26-1.3用于直径小至 26mm 圆柱形和球形样品外侧。

CP-BendingRod-L350-2弯曲长度 300mm，总长度 350mm 的接触探头。 用于难以到达的区域，但不会自动对准表面。

CP-ID-0to90Deg-2用于食品和饮料罐头内壁的接触探头。

CP-RA-3mmDia-200mmL-2直径**小的接触探头，配备微型直角反射镜，用来测量小至直径 3mm 管子的内壁，不能自动对准表面。

CP-RA-10mmHigh-2配备微型直角反射镜，可以在相隔 10mm 的两个平坦表面之间进行测量。 F20-EXR测厚范围：15nm - 250μm；波长：380-1700nm。光干涉膜厚仪实际价格

参考材料

备用 BK7 和二氧化硅参考材料。

BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜

BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基准。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。

REF-Si-22" 单晶硅晶圆

REF-Si-44" 单晶硅晶圆

REF-Si-66" 单晶硅晶圆

REF-Si-88" 单晶硅晶圆

REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片

REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片

REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 Filmetrics Profilm3D膜厚仪研发可以用吗F30测厚范围：15nm-70μm；波长：380-1050nm。

    更可加装至三个探头，同时测量三个样品，具紫外线区或标准波长可供选择。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外，可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作台，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通过快速扫瞄功能，可取得整片样品厚度分布情况(mapping)。F70:*通过在F20基本平台上增加镜头，使用Filmetrics*新的颜色编码厚度测量法（CTM），把设备的测量范围极大的拓展至。F10-RT：在F20实现反射率跟穿透率的同时测量，特殊光源设计特别适用于透明基底样品的测量。PARTS：在垂直入射光源基础上增加70o光源，特别适用于超薄膜层厚度和n、k值测量。**膜厚测量仪系统F20使用F20**分光计系统可以简便快速的测量厚度和光学参数（n和k）。您可以在几秒钟内通过薄膜上下面的反射比的频谱分析得到厚度、折射率和消光系数。任何具备基本电脑技术的人都能在几分钟内将整个桌面系统组装起来。F20包括所有测量需要的部件：分光计、光源、光纤导线、镜头**和Windows下运行的软件。您需要的只是接上您的电脑。膜层实例几乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能测。包括：sio2（二氧化硅）sinx（氮化硅）dlc（类金刚石碳）photoresist。

FSM 413 红外干涉测量设备

关键词：厚度测量，光学测厚，非接触式厚度测量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光测厚，近红外光测厚，TSV, CD, Trench，砷化镓厚度，磷化铟厚度，玻璃厚度测量，石英厚度，聚合物厚度, 背磨厚度，上下两个测试头。Michaelson干涉法，翘曲变形。    

如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！

产品名称：红外干涉厚度测量设备

·       产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP，FSM413C2C, FSM 8108 VITE C2C

如果您需要更多的信息，请联系我们岱美仪器。 可选粗糙度: 20 — 1000? (RMS)。

技术介绍：

红外干涉测量技术, 非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。

产品简介：FSM 413EC 红外干涉测量设备

适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度   

沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

硅片厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...

系统测试应力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自动的200mm和300mm硅片检查，自动检验和聚焦的能力。晶圆膜厚仪原理

F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行比较低、比较高和平均反射测试。光干涉膜厚仪实际价格

厚度标准：

所有 Filmetrics 厚度标准都是得到验证可追溯的 NIST 标准。

S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的 NIST 厚度校准。 

TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 3100A，4" 晶圆。

TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 10000A，4" 晶圆。

TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约 4um，直径 2"。

TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。

TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 4um ，直径2"。

TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 8um，23mm x 23mm。

TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约 7200A，4" 晶圆。

TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度标准。

TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為 8000A。 光干涉膜厚仪实际价格

岱美仪器技术服务（上海）有限公司总部位于中国(上海)自由贸易试验区加太路39号第五层六十五部位，是一家磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的公司。岱美仪器技术服务拥有一支经验丰富、技术创新的专业研发团队，以高度的专注和执着为客户提供磁记录，半导体，光通讯生产，测试仪器的批发。岱美仪器技术服务致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心，为用户带来良好体验。岱美仪器技术服务始终关注仪器仪表市场，以敏锐的市场洞察力，实现与客户的成长共赢。