UV纳米压印光刻系统
EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT：具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统
■高精度对准台
■自动楔形误差补偿机制
■电动和程序控制的曝光间隙
■支持***的UV-LED技术
■**小化系统占地面积和设施要求
EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自动化的全场纳米压印解决方案，适用于第3代基材
■体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度
■专有的SmartNIL®技术和多用途聚合物印章技术
■集成式压印，UV固化，脱模和工作印模制作
■盒带间自动处理以及半自动研发模式
■适用于所有市售压印材料的开放平台
SmartNIL的主要技术是可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印结果。EVG620NT纳米压印高性价比选择
EVG ® 620 NT特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和转换工具
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 620 NT附加功能：
键对准
红外对准
SmartNIL
μ接触印刷技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
标准光刻：比较大150毫米的碎片
柔软的UV-NIL：比较大150毫米的碎片
SmartNIL ®：在100毫米范围
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：软UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外线LED光源
对准：
软NIL：≤±0.5 μm
SmartNIL ®：≤±3微米
自动分离：柔紫外线NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔软的UV-NIL：外部：SmartNIL ®：支持
湖北纳米压印技术原理EVG的纳米压印设备已使纳米图案能够在面板尺寸比较大为第三代（550 mm x 650 mm）的基板上实现。
EVG ® 7200 LA大面积SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
用于大面积****的共形纳米压印光刻。
EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术，将纳米压印光刻（NIL）缩放为第三代（550 mm x 650 mm）面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器，线栅偏振器，生物技术和光子元件等应用，至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济有效的方法，因为它不受光学系统的限制，并且可以为**小的结构提供比较好的图案保真度。
SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺，提供了低至40 nm *的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能（包括****的易用性）以及高水平的工艺专业知识，EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。
*分辨率取决于过程和模板
EVG610特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形误差补偿机制
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和光刻工艺之间的转换
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG610附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻
μ接触印刷
EVG610技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）
标准光刻：比较大150毫米的碎片
柔软的UV-NIL：比较大150毫米的碎片
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：柔软的UV-NIL
曝光源：汞光源或紫外线LED光源
自动分离：不支持
工作印章制作：外部
EVG ? 520 HE是热压印系统。
EVG ® 720自动SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
自动全视野的UV纳米压印溶液达150毫米，设有EVG's专有SmartNIL ®技术
EVG720系统利用EVG的创新SmartNIL技术和材料专业知识，能够大规模制造微米和纳米级结构。具有SmartNIL技术的EVG720系统能够在大面积上印刷小至40 nm *的纳米结构，具有****的吞吐量，非常适合批量生产下一代微流控和光子器件，例如衍射光学元件（ DOEs）。
*分辨率取决于过程和模板
如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。也可以访问官网，获得更多信息。 EV Group提供混合和单片微透镜成型工艺，能够轻松地适应各种材料组合，以用于工作印模和微透镜材料。中国澳门纳米压印微流控应用
分步重复刻印通常用于高 效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的Smart NIL工艺所需的母版。EVG620NT纳米压印高性价比选择
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。EVG620NT纳米压印高性价比选择
岱美仪器技术服务（上海）有限公司主要经营范围是仪器仪表，拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。岱美仪器技术服务致力于为客户提供良好的磁记录，半导体，光通讯生产，测试仪器的批发，一切以用户需求为中心，深受广大客户的欢迎。公司秉持诚信为本的经营理念，在仪器仪表深耕多年，以技术为先导，以自主产品为重点，发挥人才优势，打造仪器仪表良好品牌。岱美仪器技术服务立足于全国市场，依托强大的研发实力，融合前沿的技术理念，飞快响应客户的变化需求。