EVG ® 7200 LA特征：

专有SmartNIL ®技术，提供了****的印迹形大面积

经过验证的技术，具有出色的复制保真度和均匀性

多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本

强大且精确可控的处理

与所有市售的压印材料兼容

EVG ® 7200 LA技术数据：

晶圆直径（基板尺寸）：直径200毫米（比较大Gen3）（550 x 650毫米）

解析度：40 nm-10 μm（分辨率取决于模板和工艺）

支持流程：SmartNIL ®

曝光源：大功率窄带（> 400 mW /cm2）

对准：可选的光学对准：≤±15 μm

自动分离：支持的

迷你环境和气候控制：可选的

工作印章制作：支持的

SmartNIL技术可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。青海纳米压印推荐产品

EVG ® 720特征：

体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度

专有SmartNIL ®技术，多使用聚合物印模技术

集成式压印，UV固化脱模和工作印模制造

盒带到盒带自动处理以及半自动研发模式

可选的顶部对准

可选的迷你环境

适用于所有市售压印材料的开放平台

从研发到生产的可扩展性

系统外壳，可实现比较好过程稳定性和可靠性技术数据

晶圆直径（基板尺寸）

75至150毫米

解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）

支持流程：SmartNIL ®

曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm2

对准：可选的顶部对准

自动分离：支持的

迷你环境和气候控制：可选的

工作印章制作：支持的

EVG6200NT纳米压印推荐型号EVG的热压印是一种经济高 效且灵活的制造技术，具有非常高的复制精度，可用于**小50 nm的特征尺寸。

    面板厂为补偿较低的开口率，多运用在背光模块搭载较多LED的技术，但此作法的缺点是用电量较高。若运用NIL制程，可确保适当的开口率，降低用电量。利用一般曝光设备也可在玻璃基板上形成偏光膜。然8代曝光设备一次可形成的图样面积较小。若要制造55吋面板，需要经过数十次的曝光制程。不仅制程时间长，经过多次曝光后，在图样间会形成细微的缝隙，无法完整显示影像。若将NIL技术应用在5代设备，可一次形成55吋、60吋面板的偏光膜图样。在8代基板可制造6片55吋面板，6次的压印接触可处理完1片8代基板。南韩业者表示，在玻璃基板上形成偏光图样以提升质量的生产制程，是LCD领域中***一个创新任务。若加速NIL制程导入LCD生产的时程，偏光膜企业的营收可能减少。（来自网络。

EVG ® 770分步重复纳米压印光刻系统

分步重复纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作

EVG770是用于步进式纳米压印光刻的通用平台，可用于有效地进行母版制作或对基板上的复杂结构进行直接图案化。这种方法允许从**

大50 mm x 50 mm的小模具到比较大300 mm基板尺寸的大面积均匀复制模板。与钻石车削或直接写入方法相结合，分步重复刻印通常用于有效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的SmartNIL工艺所需的母版。

EVG770的主要功能包括精确的对准功能，完整的过程控制以及可满足各种设备和应用需求的灵活性。 EVG开拓了这种非常规光刻技术，拥有多年技术，掌握了NIL，并已在不断增长的基板尺寸上实现了批量生产。

    据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅**简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。EVG的EVG ? 620 NT是智能NIL ? UV纳米压印光刻系统。微接触纳米压印技术服务

岱美仪器代理的SmartNIL是一项关键的启用技术，可用于显示器，生物技术和光子应用中的许多新创新。青海纳米压印推荐产品

EVG ® 770特征：

微透镜用于晶片级光学器件的高 效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL ®

简单实施不同种类的大师

可变抗蚀剂分配模式

分配，压印和脱模过程中的实时图像

用于压印和脱模的原位力控制

可选的光学楔形误差补偿

可选的自动盒带间处理

EVG ® 770技术数据：

晶圆直径（基板尺寸）：100至300毫米

解析度：≤50 nm（分辨率取决于模板和工艺）

支持流程：柔软的UV-NIL

曝光源：大功率LED（i线）> 100 mW /cm2

对准：顶侧显微镜，用于实时重叠校准≤±500 nm和精细校准≤±300 nm

较早印刷模具到模具的放置精度：≤1微米

有效印记区域：长达50 x 50毫米

自动分离：支持的

前处理：涂层：液滴分配（可选）

青海纳米压印推荐产品

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