Windows怎样知道安装的是什么设备，以及要拷贝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是从Windows 95时***始引入的一种描述设备安装信息的文件，它用特定语法的文字来说明要安装的设备类型、生产厂商、型号、要拷贝的文件、拷贝到的目标路径，以及要添加到注册表中的信息。通过读取和解释这些文字，Windows便知道应该如何安装驱动程序。几乎所有硬件厂商提供的用于Windows 9x下的驱动程序都带有安装信息文件。事实上，.inf文件不仅可用于安装驱动程序，还能用来安装与硬件并没有什么关系的软件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新时下载的系统部件就是利用.inf文件来说明如何安装该部件的。也可以将模拟信号转换为数字信号，以控制数码管等显示设备。普陀区优势驱动电路售价

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。青浦区制造驱动电路服务热线驱动电路的设计通常需要考虑负载的电流、电压要求，以及控制信号的特性。

led驱动电路是一种用于可控硅调光器的电路，分为两类AC/ DC转换和DC/ DC转换两类，又根据驱动原理的不同，可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。LED在具体的使用时，要注意驱动电路的选用。LED 驱动电路除了要满足安全要求外，另外的基本功能应有两个方面：根据能量来源的不同，LED驱动电路总体上可分为两类，一是AC/ DC转换，能量来自交流电，二是DC/ DC转换，能量来自干电池、可充电电池、蓄电池等。根据LED驱动原理的不同，又可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS值就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。通过控制电机的电流和电压，可以实现电机的转动、速度控制、方向控制等。

优良的驱动电路对变换器性能的影响驱动电路1.提高系统可靠性2.提高变换效率(开关器件开关、导通损耗)3.减小开关器件应力(开/关过程中)4.降低EMI/EMC驱动电路为什么要采取隔离措施安规问题，驱动电路副边与主电路有耦合关系，而驱动原边是与控制电路连在一起， 主电路是一次电路，控制电路是ELV电路， 一次电路和ELV电路之间要做加强绝缘，实现绝缘要求一般就采取变压器光耦等隔离措施。驱动电路采取隔离措施的条件需要隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极） 同—驱动电路无需隔离；无需隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极）不同—驱动电路应隔离。继电器驱动电路：通过控制继电器的开关来驱动高功率负载，适用于需要隔离控制信号和负载的场合。宝山区挑选驱动电路哪家好

当栅极电压低于阈值时，MOS管会关断。驱动电路正是通过调整栅极电压来控制MOS管的开通和关断状态。普陀区优势驱动电路售价

如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值：门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2普陀区优势驱动电路售价

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