晶振的指标，静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的较大允许频偏。ft：频率温度稳定度（不带隐含基准度）；ftref：频率温度稳定度（带隐含基准温）；fmax ：规定温度范围内测得的较高频率；fmin：规定温度范围内测得的较低频率；fref：规定基准温度测得的频率。说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器，故ftref指标的晶体振荡器售价较高。普通晶体振荡器（SPXO）是一种简单的晶体振荡器，通常称为钟振。无锡直插晶振贵不贵

晶体是一个14.318 MHz的石英谐振器，主要作用是作为振荡电路的谐振元件把电压转换为相应的频率信号输送给主板上的各种信号处理芯片。如图7所示为时钟芯片的晶振电路示意图，振荡电路在芯片内部，谐振晶体接在芯片外部。这种电路称为晶体振荡器，简称晶振。晶振电路在电磁炉中的应用电磁炉电路中常用晶体振荡器电路图，在电磁炉电路中，晶体振荡器常用作微处理器（或微控制器）的时钟信号源，时钟信号是整机工作不可缺少的信号，如果没有时钟信号，那么微处理器将无法启动和工作。温州定制晶振厂商标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。

如果在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，机械形变振动又会产生交变电场，尽管这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（与切割后的晶片尺寸有关，晶体愈薄，切割难度越大，谐振频率越高）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。通常厂家的晶振元件数据手册给出的标称频率不是Fr或FL，实际的晶体元件应用于振荡电路中时，它一般还会与负载电容相联接，共同作用使晶体工作于Fr和FL之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。石英晶体振荡器有压控制晶体振荡器、恒温控制式晶体振荡器和数字化/μp补偿式晶体振荡器等几种类型。

晶振的指标，负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容，用CL表示。负载电容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激励电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在确定时间内输出频率的相对变化。基频：在振动模式较低阶次的振动频率。泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。晶振一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。合肥2520晶振价格

在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振。无锡直插晶振贵不贵

温度频差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。石英晶体有一种特性，如果在晶片某轴向上施加压力时，相应施力的方向会产生一定的电位相反的，在晶体的某些轴向施加电场时，会使晶体产生机械变形；晶体的自然谐振频率，它在高稳晶振的设计中，是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数（但不是标称频率）。当晶体元件与外部电容相连接时（并联或串联），在负载谐振频率时的电阻即为负载谐振电阻RL，它总是大于晶体元件本身的谐振电阻。无锡直插晶振贵不贵

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