晶振：调频（压控）特性：包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。调频频偏：压控晶体振荡器控制电压由标称的很大值变化到很小值时输出频率差。调频灵敏度：压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。调频线性度：是一种与理想直线（很小二乘法）相比较的调制系统传输特性的量度。负载特性：其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的很大允许频偏。电压特性：电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的很大允许频偏。石英晶体有两个谐振频率分别是fs和fp。高精度晶体振荡器厂商

晶体振荡器是通过电激励来产生固定频率的机械振动，而振动又会产生电流反馈给电路，电路接到反馈后进行信号放大，再次用放大的电信号来激励晶体振荡器机械振动，晶体振荡器再将振动产生的电流反馈给电路，如此这般。当电路中的激励电信号和晶体振荡器的标称频率相同时，电路就能输出信号强大，频率稳定的正弦波。整形电路再将正弦波变成方波送到数字电路中供其使用。问题在于晶体振荡器的输出能力有限，它单单输出以毫瓦为单位的电能量。在IC（集成电路）内部，通过放大器将这个信号放大几百倍甚至上千倍才能正常使用。上海温补晶体振荡器价格晶体振荡器是石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成的。

晶体振荡器的指标，静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的较大允许频偏。ft：频率温度稳定度（不带隐含基准度）；ftref：频率温度稳定度（带隐含基准温）；fmax：规定温度范围内测得的较高频率；fmin：规定温度范围内测得的较低频率；fref：规定基准温度测得的频率。说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器，故ftref指标的晶体振荡器售价较高。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。RR的大小直接影响电路的性能，也是各商家竞争的一个重要参数。

晶体振荡器技术指标：⒈总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的大频差。说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。⒉ 频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的大允许频偏。串联型晶体振荡器具有选频功能。

单片机晶体振荡器与速度的疑问，执行一条指令的周期不是由晶体振荡器决定的吗。那么比如51单片机和MSP430，给51接高速晶体振荡器，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度单片机速度单单与晶体振荡器有关，关键是单片机能不能支持那么大的晶体振荡器？每个单片机的速度是受到内部逻辑门电平跳变速度的。对于一个51，给他用更高的晶体振荡器，速度会快些。但是对于高级的单片机就不一样了。高级单片机内部，一般都是有频率控制寄存器的，所以，简单的增加晶体振荡器，可能达到单片机的极限，导致跑飞。晶体振荡器：一种电子电路，通过利用压电材料制成的振动晶体的机械共振来产生精确频率的电信号。温州温补晶体振荡器供应

石英晶体谐振器的频率稳定度高达百万分之几（ppm），做成振荡器其频率稳定度可达-6量级。高精度晶体振荡器厂商

电子元器件是构成电子信息系统的基本功能单元，是各种电子元件、器件、模块、部件、组件的统称，同时还涵盖与上述电子元器件结构与性能密切相关的封装外壳、电子功能材料等。电子元器件销售是联结上下游供求必不可少的纽带，目前电子元器件企业商已承担了终端应用中的大量技术服务需求，保证了原厂产品在终端的应用，提高了产业链的整体效率和价值。电子元器件行业规模不断增长，国内市场表现优于国际市场，多个下游的行业的应用前景明朗，电子元器件行业具备广阔的发展空间和增长潜力。汽车电子、互联网应用产品、移动通信、智慧家庭、5G、消费电子产品等领域成为中国电子元器件市场发展的源源不断的动力，带动了电子元器件的市场需求，也加快电子元器件更迭换代的速度，从下游需求层面来看，电子元器件市场的发展前景极为可观。当前国内晶体谐振器，晶体振荡器，石英晶体，音叉晶体行业发展迅速，我国 5G 产业发展已走在世界前列，但在整体产业链布局方面，我国企业主要处于产业链的中下游。在产业链上游，尤其是晶体谐振器，晶体振荡器，石英晶体，音叉晶体和器件等重点环节，技术和产业发展水平远远落后于国外。高精度晶体振荡器厂商