导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区 ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，期待您的光临！辽宁电容电阻回收公司

根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如，实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站 、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。河南呆滞料回收中心回收，就选上海海谷电子有限公司，欢迎客户来电！

具备以下有益效果：该组合式集成电路芯片，通过设置有空心导热块、空心散热块和第二空心散热块，当芯片本体与集尘电路板安装的时候，首先把l形杆插入螺纹块的凹槽中，接着通过螺母与螺纹块连接，达到固定散热机构的目的，之后打开管盖，并通过导管向空心导热块内加注部分纯净水，接着盖上管盖，在芯片本体工作散发热量的时候，热量被空心导热块吸收，同时空心导热块内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管和第二连接管进入到空心散热块和第二散热块中，利用空心散热块和第二空心散热块较 大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。附图说明图1为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片的结构示意图；图2为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片a部分的结构示意图。

所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于 集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。图11是示出示例标准单元的布图的示图。图12a、图12b和图12c是图11的标准单元的截面图。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。具体实施方式在下文中将参照示出一些示例实施例的附图更地描述各种示例实施例。在附图中。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的可以来电咨询！

导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电！江西电子元件物料回收市场

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可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元，还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如，标准单元库可以包括标准单元的名称和功能，以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中，并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30)，并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中，当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时，输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中，当接收的输入数据是定义集成电路的布图的数据(例如，具有图形数据系统ii(gdsii)格式的数据)时，输出数据的格式也可以是定义集成电路的布图的数据。通过图13的方法设计和制造的集成电路可以包括半导体基底、多条栅极线和多条列金属线。如参照图1至图10所述，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数并且多个单元线路结构布置在方向上。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。参照图14，设计系统1000可以包括存储介质1100、设计模块1400和处理器1500。辽宁电容电阻回收公司

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