只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。双向可控硅阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。2、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，有想法的不要错过哦！珠海电子元器件回收中心

容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率，C表示电容容里)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法。容里大的电容其容里值在电容上直接标明，如10uF/16V容里小的电容其容里值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1mF1000uF...1P2=数字表示法:一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如:102表示10X102PF=1000PF224表示22X104PF=3、电容容里误差表如:一瓷片电容为104J表示容里为、误差为±5%。4、故障特点在实际维修中，电容器的故障主要表现为:(1)引脚腐蚀致断的开路故障。(2)脱焊和虚焊的开路故障。(3)漏液后造成容里小或开路故障。(4)漏电、严重漏电和击穿故障。三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示如:D5表示编号为5的二极管。1、作用:二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。淮安呆滞电子元器件回收价格电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！

场效应管检测方法与经验1、用指针式万用表对场效应管进行判别A）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

电子元器件采购常识一、概述电子元器件是元件和器件的总称元件：工厂在加工产品是没有改变分子成分产品可称为元件，不需要能<电>源的器件。它包括：电阻、电容、电感器。（又可称为被动元件PassiveComponents）（1）电路类器件：二极管，电阻器等等（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)器件：工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件器件分为：1.主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能(2).还需要外界电源。2.分立器件，分为（1)双极性晶体三极管（2）场效应晶体管（3）可控硅（4）半导体电阻电容3.模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘（除）法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试，模拟而得到，与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电！

应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。D）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。E）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，有想法可以来我司咨询！韶关呆滞电子元器件回收公司

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推荐生命周期处于成长期、成熟期的器件。5)可替代原则：尽量选择pintopin兼容芯片品牌比较多的元器件。6)向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。7)资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。8)降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。9)便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。其他具体选型原则：除满足上述基本原则之外,选型时还因遵循以下具体原则:1)所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能少选择物料的种类。2)功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。3)禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。4)所选元器件MSL（潮湿敏感度等级）不能大于5级（含）。5)优先选用密封真空包装的型号，MSL（潮湿敏感度等级）大于2级（含）的，必须使用密封真空包装。6)优先选用卷带包装、托盘包装的型号。如果是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件，则要求盘状塑料编带包装，盘状塑料编带必须能够承受125℃的高温。珠海电子元器件回收中心

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