设备焊接条件对元器件的耐温要求如表8所示。表8设备焊接条件对元器件的耐温要求注：?数据来源：IPC/JEDECJ-STD-0**；?所有封装元器件能承受5次焊接者为推荐元器件；?所有支持波峰焊接的元器件必须能支持2次正常波峰焊接；?所有支持回流焊接的元器件必须能支持3次正常波峰焊接；?元器件支持手工返修的能力为：350℃，持续5s。手工焊接对元器件的耐温要求如表9所示（*供参考）。表9手工焊接对元器件的耐温要求注：实际焊接过程中，由于焊盘设计和印制板散热情况的不同，参数略有调整。耐潮湿性能要求1．湿度对电子元器件的危害据统计，全球每年有1/4以上的工业制造不良品与潮湿的危害有关。对于电子工业，潮湿的危害已经成为影响产品质量的主要因素之一。电子元器件看起来是密封和防潮的，但实际情况恰恰相反，随着时间的推移，元器件会不断吸收空气中的潮气，吸潮程度与构成元器件的材料成分和制造工艺、运输及使用条件密切相关。大气中的水分会通过扩散渗透到湿度敏感元器件的封装材料内部。在组装过程中，元器件将经历温度迅速变化的过程。以回流焊为例，在回流区，整个元器件要在183℃以上持续60～90s，高温度可能在210～235℃（SnPb共晶）。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。北京批量电子元器件回收平台

一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。③以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。B）检测比较高工作频率fM晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。C）检测比较高反向击穿电压VRM对于交流电来说，因为不断变化，因此比较高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，比较高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比比较高反向工作电压高得多（约高一倍）。2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K，反向电阻值为无穷大。3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大。宁波电子元器件回收上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，有需求可以来电咨询！

用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3、双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转。

B）将一光源对准光敏电阻的透光窗口。此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。C）将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。电容器的检测方法与经验1、固定电容器的检测A）检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B）检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！

8)价格及供货保证选型时尽量选择量产的芯片，慎选样片阶段的芯片。9)仿真器和开发平台确认开发时所使用的仿真器以及软件开发平台，推荐公司已有的开发工具和开发平台支持的处理器。10)OS及开发工具确认处理器支持的OS以及BSP，以及提供开发用例的丰富程度。11)勘误资料查阅新版本的芯片勘误资料，确认芯片的限制使用条件。12)技术支持推荐**度高的半导体公司的产品，选择市面上使用较广、可利用的软硬件资源较多的芯片，尽量选择有厂家或者代理商技术支持的芯片。1)并行FLASH品牌推荐SPANSION、SST，SAMSUNG。2)串行FLASH品牌推荐ATMEL。品牌推荐ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，SAMSUNG。1)禁止选用并行的EEPROM。2)串行EEPROM品牌推荐ATMEL和MICROCHIP。3)新的产品禁止选用24LC65-I/SM。1)禁选拨码开关。2)电源开关推荐船形开关。3)触点电压和电流需降额使用。：3)额定电压：加载的电压≤额定电压*50％；4)额定电流：加载电流≤额定电流*50％。5)多芯连接器，额定电流降额使用（esp.大电流）。6)绝缘阻抗。7)抗电强度：单位时间所能耐的电压。8)接触电阻：指插针和插孔接触部分产生的电阻，高频、mV/mA级别时影响信号质量。9)镀层材料。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电！南通电子元器件回收中心

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焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。E）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。3、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不*继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。北京批量电子元器件回收平台

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