调节mtj器件、第二调节mtj器件和工作mtj器件106分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个电阻器(例如，包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与工作mtj器件106并联连接的薄膜电阻器和第二薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置108可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列102通过多条位线bl1至bl2和多条字线wl1至wl2连接至控制电路115。在一些实施例中，控制电路115包括连接至多条位线bl1至bl2的位线解码器116和连接至多条字线wl1至wl2的字线解码器118。调节访问装置108连接在字线wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之间，而工作mtj器件106连接在调节访问装置108和位线bly(y＝1或2)之间。为了访问工作mtj器件106。回收，就选上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！青海电子物料回收服务

本发明涉及不具有驱动晶体管(即，存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置，该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件，工作mtj器件被配置为存储数据状态；以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置，调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件具有比第二调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器，并且位线和第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。湖北电子芯片回收厂家上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎您的来电！

本申请要求于2018年12月5日提交到韩国知识产权局(kipo)的第10-2号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。示例实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地讲，涉及具有单元线路结构的集成电路以及制造和设计该集成电路的方法。背景技术：具有固定功能的标准单元可用在集成电路的设计中。标准单元具有预定架构并被存储在单元库中。在设计集成电路时，从单元库索取标准单元并将其放置在集成电路布图上的所需位置。然后执行布线以将标准单元彼此连接并与其他单元连接。标准单元具有预定(或设定)架构，例如，单元宽度、单元高度、单元长度等。可以根据标准单元的配置和布图来确定集成电路的设计效率。技术实现要素：一些示例实施例可以提供具有适合于设计的线路结构的集成电路以及制造和设计集成电路的方法。还提供一种集成电路，所述集成电路包括：半导体基底；多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，所述多条金属线包括6n条金属线，所述多条栅极线包括4n条栅极线。

在一些实施例中，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如sadp形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。通常，在一些实施例中，作为另一示例，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成顺序地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的八条栅极线通过单图案化形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，例如。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，期待您的光临！

杭州)信息技术有限公司◇杭州百士特电子有限公司◇杭州晶图微芯技术有限公司◇杭州中科微电子有限公司◇杭州茂力半导体技术有限公司◇浙江朗威微系统有限公司◇杭州安赛信息技术有限公司◇杭州晶华微电子有限公司◇杭州晟元芯片技术有限公司◇杭州士康射频技术有限公司◇杭州中天微系统有限公司◇杭州万工科技有限公司◇杭州道道微电子有限公司◇杭州士景电子有限公司◇杭州杭电集成电路设计有限公司◇浙江国存微电子有限公司◇杭州联什么是无生产线集成电路设计就是fabless。因为现在IC生产投入太大了，一条先进的生产线投资甚至可以达到百亿美金级别，除了英特尔和三星有限的几家公司，大部分公司都是fabless的，只负责设计集成电路，制造的工作交给台积电等代工厂。炬力集成电路设计有限公司好不好当然是炬力好一些，工资待遇都比华为好，而且企业文化业比较有人情味。电子线路集成电路的设计流程分别是什么电子电路的设计方法基本包括：总体方案的选择、单元电路的确定、元器件的选择和参数的计算。集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。芯片硬件设计包括：1．功能设计阶段；2．设计描述和行为级验证。 上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的不要错过哦！上海集成电路回收网

回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！青海电子物料回收服务

导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。青海电子物料回收服务

上海海谷电子有限公司一直专注于上海海谷电子有限公司是一家从事电子元器件回收与销售的公司。公司拥有专业的技术团队和雄厚的经济实力，可提供全国各地上门服务、**评估，工厂呆滞的电子元器件库存回收。 　　我司长期回收各类呆滞电子元器件库存，包括芯片，内存，CPU，电容，电阻，二、三极管，电感，晶振，继电器，开关等。长期一站式高价，回收工厂呆滞库存。，是一家电子元器件的企业，拥有自己**的技术体系。一批专业的技术团队，是实现企业战略目标的基础，是企业持续发展的动力。公司以诚信为本，业务领域涵盖电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收，我们本着对客户负责，对员工负责，更是对公司发展负责的态度，争取做到让每位客户满意。公司深耕电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收，正积蓄着更大的能量，向更广阔的空间、更宽泛的领域拓展。