在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。上海海谷电子有限公司回收获得众多用户的认可。福建高价电子元器件回收厂家

如果与栅极线布置在相同方向上的金属线的节距与栅极线的节距不同，则一些金属轨道由于由不同的节距引起的混叠而不可用，并且设计受到限制。为了解决这些问题，示例实施例提供了在同一方向上延伸的栅极线和金属线的有效线路结构，以便使在制造工艺中设置的栅极线和金属线的资源大化。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构来提高集成电路的设计效率和性能。上述导电层可以称为列导电层，上述金属线可以称为列金属线。列金属线可以是在某一方向上(例如，在第二方向上)延伸的金属线，并且“列”不限于特定方向。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图，图3是根据示例实施例的集成电路的图。参照图2和图3，集成电路包括半导体基底(未示出)、多条栅极线gl1至gl4n和多条金属线ml1至ml6n。多条栅极线gl1至gl4n形成在半导体基底上方的栅极层gtl中。多条栅极线gl1至gl4n布置在方向x上并在垂直于方向x的第二方向y上延伸。多条金属线ml1至ml6n形成在栅极层gtl上方的列导电层ccl中。多条金属线ml1至ml6n布置在方向x上并在第二方向y上延伸。栅极线gl1至gl4n中的至少一条可以被切割为栅极段。河北高价电子元器件回收市场上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，欢迎新老客户来电！

在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。

本发明涉及集成电路封装技术，特别是一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术：由于新能源的大力发展，隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高，而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率更高，集成度更高，支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装，多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案，电源功率只有％。由于电感量不够大，信号传输不得不采用180MHz的调制信号，电路非常复杂，并且电路中的磁路不闭合，漏磁大，EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现，对于采用微变压器方案的半导体隔离技术，由于微变压器方案电感量，耦合系数太低，也增加了传输电路的复杂程度，集成的电源效率差。有的电容式隔离器，用户需要外加变压器。另外，电容式隔离不能内部集成开关的电源，客户使用不方便。技术实现要素：本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种集成电路基板。上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎您的来电哦！

每个单元线路结构可以包括六条金属线和四条栅极线。在这种情况下，单元线路结构未被划分为两个子线路结构，使得每个子线路结构包括三条金属线和两条栅极线。在一些示例实施例中，每个单元线路结构可以包括十二条金属线和八条栅极线。在这种情况下，单元线路结构未被划分为四个子线路结构，使得每个子线路结构包括三条金属线和两条栅极线，并且单元线路结构未被划分为两个子线路结构，使得每个子线路结构包括六条金属线和四条栅极线。当半导体工艺按比例缩小时，集成在一个集成电路中的晶体管的数量呈指数增长。由于晶体管的数量大，因此使用标准单元库来设计集成电路，该标准单元库包括使逻辑门标准化而不是定制设计的多个标准单元。可以通过标准单元库、逻辑合成工具以及自动布局和布线工具自动地设计实现期望的功能的复杂的集成电路。标准单元被布置为形成用于自动设计的多个行，并且制造的集成电路的行具有除光学偏差之外的规则节距。集成电路的栅极线在列方向上延伸并且在行方向上重复地布置。栅极线上方的金属线双向或单向地传输信号和/或电压。通常，上层中的金属线被实现为单向的。栅极线和金属线非常密集，并且栅极线和金属线的节距在光刻工艺中用作图案的限制。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有需求可以来电咨询！北京电子料高价回收厂家

回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！福建高价电子元器件回收厂家

图7a至图7b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例，该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图7a示出了具有以行和列布置的多个存储单元702a,1至702c,3的存储器电路700的一些额外实施例的示意图。多个存储单元702a,1至702c,3分别包括配置为存储数据的工作mtj器件106和配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至工作mtj器件106的同一层的调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。调节mtj器件204连接在多条字线wl1至wl6的条和多条偏置电压线bvl1至bvl3的条之间。第二调节mtj器件206连接在多条位线bl1至bl6的条和多条偏置电压线bvl1至bvl3的条之间。工作mtj器件106连接在多条偏置电压线bvl1至bvl3的条和多条位线bl1至bl6的第二条之间。在操作期间，位线解码器116被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线bl1至bl6，并且字线解码器118被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wl1至wl3和一条或多条偏置电压线bvl1至bvl3。施加的信号使得调节mtj器件204内的电流基于提供给存储器阵列102的整个列的电压而产生。福建高价电子元器件回收厂家

上海海谷电子有限公司位于肖塘路255弄10号2层，是一家专业的上海海谷电子有限公司是一家从事电子元器件回收与销售的公司。公司拥有专业的技术团队和雄厚的经济实力，可提供全国各地上门服务、**评估，工厂呆滞的电子元器件库存回收。 　　我司长期回收各类呆滞电子元器件库存，包括芯片，内存，CPU，电容，电阻，二、三极管，电感，晶振，继电器，开关等。长期一站式高价，回收工厂呆滞库存。公司。致力于创造***的产品与服务，以诚信、敬业、进取为宗旨，以建海谷产品为目标，努力打造成为同行业中具有影响力的企业。公司以用心服务为重点价值，希望通过我们的专业水平和不懈努力，将上海海谷电子有限公司是一家从事电子元器件回收与销售的公司。公司拥有专业的技术团队和雄厚的经济实力，可提供全国各地上门服务、**评估，工厂呆滞的电子元器件库存回收。 　　我司长期回收各类呆滞电子元器件库存，包括芯片，内存，CPU，电容，电阻，二、三极管，电感，晶振，继电器，开关等。长期一站式高价，回收工厂呆滞库存。等业务进行到底。诚实、守信是对企业的经营要求，也是我们做人的基本准则。公司致力于打造***的电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收。