包括：在衬底上方形成互连层；在所述互连层正上方形成多个mtj器件，其中，所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成第二互连层，其中，所述互连层和所述第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括调节mtj器件，该调节mtj器件被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图3a至图3c示出了图2的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。图4a至图4b示出了对应于图2的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。图5a至图5b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例。上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎您的来电！甘肃电子元件回收行情

四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm，四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个，可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中，wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度，wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。云南二极管回收服务上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的不要错过哦！

存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如，wl1)和工作mtj器件106之间，而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如，wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如，bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示，调节mtj器件504具有尺寸(例如。

所述方法包括：提供两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供，并且描绘典型或示例的实施例。图1是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图3示出了图2a和图2b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图4b示出了图4a的两个印刷电路装配件，所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。回收，就选上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！

可以使用光刻工艺形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工艺和软焙工艺在层250上形成抗蚀剂层。然后，使用针对图4c的心轴图案231、232和233而定义的掩模将抗蚀剂层暴露于辐射。心轴图案231、232和233将提供基于231、232和233创建图4e中所示的侧壁间隔件261至266的基础。终将蚀刻掉心轴图案231、232和233。使用曝光后烘焙、显影和硬烘焙来使曝光的抗蚀剂层显影，从而在层250上方形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3在方向x上具有节距p1和宽度w1。参照图4c，通过抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的开口蚀刻层250、240和230以形成心轴图案231、232和233。蚀刻工艺可以包括干法(或等离子体)蚀刻、湿法蚀刻或其他合适的蚀刻方法。之后使用合适的工艺(诸如，湿法剥离或等离子体灰化)去除抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。还使用一个或更多个蚀刻工艺去除层250和层240，从而在中间层220上方产生图4c中所示的心轴图案231、232和233。考虑到通过上述图案化工艺的特征变化，心轴图案231、232和233在方向x上具有分别与节距p1和宽度w1基本匹配的节距p2和宽度w2。参照图4d，在介电层220上方、在心轴图案231、232和233上方以及在心轴图案231、232和233的侧壁上形成间隔层260。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，有想法可以来我司咨询！云南二极管回收服务

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固定层110a和自由层114a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元104a,1至104b,2能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件106的电阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低电阻状态，则存储单元104a,1将存储位值(例如，逻辑“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高电阻状态，则存储单元104a,1将存储第二位值(例如，逻辑“1”)。调节访问装置108分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件106的电流的电阻。例如，调节访问装置108a,1被配置为控制提供给工作mtj器件106a,1的电流，第二调节访问装置108b,1被配置为控制提供给第二工作mtj器件106b,1的电流等。调节访问装置108被配置为通过控制提供给工作mtj器件106的电流来选择性地对存储器阵列102内的一个或多个工作mtj器件106提供访问。在一些实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个调节mtj器件109，一个或多个调节mtj器件109分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112b与自由层114b分隔开的固定层110b。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与相关的工作mtj器件106连接的并联连接的调节mtj器件和第二调节mtj器件206。在一些实施例中。甘肃电子元件回收行情

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