化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中，衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如，硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层904可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图1000所示，在互连层406a的上表面上方形成多个底电极通孔408。多个底电极通孔408由介电层1002围绕。在一些实施例中，介电层1002可以沉积在互连层406a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔408。在各个实施例中，介电层1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔408可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔408上方形成多个mtj器件106、204和206。回收，就选上海海谷电子有限公司。江苏电子料库存回收平台

contract)，“cb”表示接触件，“vo”表示通孔接触件，“m1”表示线路。栅极绝缘层118可以由氧化硅层、高k介电层或它们的组合形成。多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以跨越多个有源区ac在栅极绝缘层118上延伸，同时覆盖每个有源区ac的上表面和两个侧壁。掩模122可以形成在栅极线pc11、12、13、14、15和16中的每条栅极线上。栅极绝缘层118的侧壁、栅极线pc的侧壁和掩模122的侧壁可以被间隔件124覆盖。具体地讲，间隔件124可以沿着第三方向z沿着栅极绝缘层118、栅极线pc和掩模122延伸。在图12c中所示的截面中，栅极绝缘层118可以沿着第三方向z在栅极线pc与间隔件124之间延伸。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金属氮化物层、金属层、导电覆盖层和间隙填充金属层按顺序堆叠的结构。金属氮化物层和金属层可以包括钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、钌(ru)、铌(nb)、钼(mo)、铪(hf)等。例如，可以通过使用原子层沉积(ald)方法、金属有机ald方法和/或金属有机化学气相沉积(mocvd)方法来形成金属层和金属氮化物层。导电覆盖层可以用作防止金属层的表面氧化的保护层。此外，导电覆盖层可以用作有助于金属层上的另一导电层沉积的粘合层(例如，润湿层(wettinglayer))。黑龙江呆滞料回收价格上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法可以来我司咨询。

1至202c,3分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和通过调节提供给工作mtj器件106的电流而选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。在一些实施例中，调节访问装置108包括连接至工作mtj器件106的同一层的调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。例如，调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以都连接至工作mtj器件106的固定层110。在一些实施例中，调节mtj器件204连接在工作mtj器件106和字线wlx之间(x＝1,3,5)，并且第二调节mtj器件206连接在工作mtj器件106和第二字线wly(y＝2,4,6)之间。例如，在存储单元202a,1中，调节mtj器件204连接在工作mtj器件106和字线wl1之间，而第二调节mtj器件206连接在工作mtj器件106和字线wl2之间。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112与自由层114分隔开的固定层110。在一些实施例中，固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层112可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中，自由层114可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。

具备以下有益效果：该组合式集成电路芯片，通过设置有空心导热块、空心散热块和第二空心散热块，当芯片本体与集尘电路板安装的时候，首先把l形杆插入螺纹块的凹槽中，接着通过螺母与螺纹块连接，达到固定散热机构的目的，之后打开管盖，并通过导管向空心导热块内加注部分纯净水，接着盖上管盖，在芯片本体工作散发热量的时候，热量被空心导热块吸收，同时空心导热块内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管和第二连接管进入到空心散热块和第二散热块中，利用空心散热块和第二空心散热块较大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。附图说明图1为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片的结构示意图；图2为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片a部分的结构示意图。上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎您的来电！

减法器604经配置以通过从第二电压v2减去电压v1来提供实际电压vout。因此，实际电压vout与电压v1和第二电压v2相关联。图11是根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路80的电路图。参考图11，分类器电路80包括一比较器800、一减法器电路802、一分压器804、一加法器电路806、一反相器810、一暂存器812、一乘法器814和一暂存器816。在图11中，符号(i)表示当前的特性；符号(i+1)表示下一次的特性。比较器800具有耦合到实际电压vout(i)的一输入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的电压的另一输入端，以及耦合到一节点n0的一输出端，其中在式子中的w(i)表示神经网络32的权重，以及vt表示预设电压。权重w(i)初是1，并且被称为一预设权重。因此，比较器800的另一输入端初耦合到预设电压vt。比较器800经配置以通过将预设电压vt与实际电压vout进行比较来产生关于不成熟分类的信息。减法器电路802具有耦合到比较器800的一输出端的一输入端和耦合到一参考电压vc(i)的另一输入端，从而从电压v1(i)中减去参考电压vc(i)。因此，减法器电路802向分压器804提供一电压(v1(i)-vc(i))。因此，分压器804提供电压η(v1-vc)，其中η表示学习速率，以及η的范围从大约0到大约1。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！河南集成电路回收

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1可以包括工作mtj器件106和调节访问装置108，调节访问装置108具有形成在第三互连层406c和第四互连层406d之间的调节mtj器件204和206。第二存储单元202b,1可以根据与关于图9至图11描述的那些类似的步骤形成。图13示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法1300的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法300示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤1302中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。图9示出了对应于步骤1302的一些实施例的截面图900。在步骤1304中，在互连层的连续上表面正上方形成多个底电极通孔。图10示出了对应于步骤1304的一些实施例的截面图1000。在步骤1306中。江苏电子料库存回收平台

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