宽度w1)，并且第二调节mtj器件具有与尺寸不同的第二尺寸(例如，第二宽度w2)。调节mtj器件504的尺寸赋予调节mtj器件504更大的切换电流，这可以允许更大的电流。在一些实施例中，工作mtj器件106具有与尺寸和第二尺寸不同的第三尺寸(例如，第三宽度w3)。图6a至图6b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例，存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图6a示出了具有以行和列布置的多个存储单元602a,1至602c,3的存储器电路600的示意图。多个存储单元602a,1至602c,3分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接在字线wlx(x＝1,2,3)和偏置电压线bvly(y＝1,2,3)之间的调节mtj器件604。工作mtj器件106连接在偏置电压线bvly(y＝1,2,3)和位线blz(z＝1,2,3)之间。多个存储单元602a,1至602c,3连接至控制电路607。控制电路607包括被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线blz的位线解码器116、被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wlx的字线解码器118以及被配置为选择性地将信号施加至一条或多条偏置电压线bvly的偏置电路606。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，期待您的光临！甘肃库存电子料回收联系方式

由比较器800产生的经配置以调整信号dout的回转率的预测还可能是正确的。图13是根据本公开的一些实施例的信号的回转率的一调整方法90的流程图。参考图13，调整方法90包括操作92、94、96和98。调整方法90开始于操作92，其中通过将一预设电压与一实际电压进行比较来提供一不成熟分类。调整方法90继续至操作94，其中接收一参考分类，其中通过人工将该预设电压与该实际电压进行比较来获取该参考分类。调整方法90进行到操作96，其中基于该不成熟分类和该参考分类，将该预设电压更新为一经学习电压。调整方法90继续至操作98，其中基于该经学习电压产生一预测以调整一回转率。调整方法90是示例，并且不旨在将本公开限制为超出权利要求中明确记载的内容。可以在调整方法90之前、期间和之后提供附加操作，并且为了调整方法90的额外实施例可以替换、消除或移动所描述的一些操作。在本公开中，mlc42控制src电路104而不涉及人力。因此，使用mlc42来调整回转率是相对方便的。本公开提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一测量电路以及一分类器电路。该测量电路经配置以获取一实际电压。该分类器电路经配置以：通过比较一预设电压和该实际电压来产生关于一不成熟分类的信息。批量电子物料回收中心电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。

本公开主张2018年12月06日申请的美国正式申请案第16/212,012号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种集成电路元件和电路，特别涉及一种具有经配置以大数据(bigdata)应用的机器学习功能的集成电路元件。背景技术：集成电路，例如现场可程序化的门阵列(fieldprogrammablegatearray，fpga)，可以包括执行各种数学运算的电路。举例来说，一深度学习神经网络可以在经配置以机器学习应用的一个或多个集成电路元件中实现。集成电路元件可以执行若干操作以输出神经网络的结果。上文的“现有技术”说明是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。技术实现要素：本公开提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一测量电路以及一分类器电路。该测量电路经配置以获取一实际电压。该分类器电路经配置以：通过比较一预设电压和该实际电压来产生关于一不成熟分类的信息；接收关于一参考分类的信息，该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的；基于该不成熟分类和该参考分类，将该预设电压更新为一经学习电压。

每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时，每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法，这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块，同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的，并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护，而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例，应当认识到的是，所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图1是系统100的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。系统100包括计算部件120，所述计算部件包括处理器104和存储器106。存储器106包括多个双列直插式存储模块组件108。系统100还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵110、热交换器112和储液器114。泵110将冷却液体130提供给双列直插式存储模块组件108。由双列直插式存储模块组件108产生的热量被传送给液体，加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件108。泵110将被加热的液体132从双列直插式存储模块组件108移除。热交换器112冷却被加热的液体132。储液器114适应液体体积的改变。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，期待您的光临！

本实用新型涉及集成电路芯片技术领域，尤其涉及一种组合式集成电路芯片。背景技术：集成电路是一种微型电子器件或部件，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步，而集成电路芯片是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件，其电路形成于硅基板上，电路具有至少一输出/输入垫，固定封环形成于硅基板上，并围绕电路及输出/输入垫，接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间，并与固定封环电连接，防护环设置于硅基板之上，并围绕输出/输入垫，用以与固定封环电连接。目前集成电路芯片在使用的时候会散发大量的热量，但现有的芯片散热效率较低，导致芯片长时间处于高温环境中，高温不光影响芯片运行的流畅度，还会损伤芯片，进而影响芯片的使用寿命。技术实现要素：本实用新型的目的是为了解决现有技术中集成电路芯片的散热效率较低，导致芯片长时间处于高温环境中，高温不光影响芯片运行的流畅度，还会损伤芯片，进而影响芯片使用寿命的问题，而提出的一种组合式集成电路芯片。为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种组合式集成电路芯片，包括芯片本体。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎您的来电哦！海南电子物料回收市场

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可以使用光刻工艺形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工艺和软焙工艺在层250上形成抗蚀剂层。然后，使用针对图4c的心轴图案231、232和233而定义的掩模将抗蚀剂层暴露于辐射。心轴图案231、232和233将提供基于231、232和233创建图4e中所示的侧壁间隔件261至266的基础。终将蚀刻掉心轴图案231、232和233。使用曝光后烘焙、显影和硬烘焙来使曝光的抗蚀剂层显影，从而在层250上方形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3在方向x上具有节距p1和宽度w1。参照图4c，通过抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的开口蚀刻层250、240和230以形成心轴图案231、232和233。蚀刻工艺可以包括干法(或等离子体)蚀刻、湿法蚀刻或其他合适的蚀刻方法。之后使用合适的工艺(诸如，湿法剥离或等离子体灰化)去除抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。还使用一个或更多个蚀刻工艺去除层250和层240，从而在中间层220上方产生图4c中所示的心轴图案231、232和233。考虑到通过上述图案化工艺的特征变化，心轴图案231、232和233在方向x上具有分别与节距p1和宽度w1基本匹配的节距p2和宽度w2。参照图4d，在介电层220上方、在心轴图案231、232和233上方以及在心轴图案231、232和233的侧壁上形成间隔层260。甘肃库存电子料回收联系方式

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