每个单元线路结构的六条列金属线ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金属节距pm11和第二金属节距pm12。金属节距pm11和第二金属节距pm12可以由表达式1表示。表达式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表达式1中，wdm表示双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml6的宽度。在形成列金属线ml1至ml6之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的四条栅极线gl1至gl4。参照图5，每个单元线路结构uws1的四条栅极线gl1至gl4可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws1的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg1。栅极节距pg1可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。图5示出了均具有相同的布图或相同的形貌(topography)的两个单元线路结构：左侧的一个被标识为uws1，在x轴上向右侧移位的一个也被标识为uws1。图5的左侧的uws1内的空间关系与右侧的uws1内的空间关系相同。空间关系包括gtl中的gl1、gl2、gl3、gl4之间的节距以及ccl中的ml1、ml2、ml3、ml4、ml5、ml6之间的节距还有ccl和gtl中的特征之间的相对节距。图5表示其中存在6n条金属线和4n条栅极线的通常示例。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，期待您的光临！湖北电子元件回收公司

调节mtj器件、第二调节mtj器件和工作mtj器件106分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个电阻器(例如，包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与工作mtj器件106并联连接的薄膜电阻器和第二薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置108可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列102通过多条位线bl1至bl2和多条字线wl1至wl2连接至控制电路115。在一些实施例中，控制电路115包括连接至多条位线bl1至bl2的位线解码器116和连接至多条字线wl1至wl2的字线解码器118。调节访问装置108连接在字线wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之间，而工作mtj器件106连接在调节访问装置108和位线bly(y＝1或2)之间。为了访问工作mtj器件106。湖南进口晶振回收平台电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！

存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如，wl1)和工作mtj器件106之间，而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如，wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如，bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示，调节mtj器件504具有尺寸(例如。

该比较器经配置以通过将一预设电压与一实际电压进行比较来产生关于该不成熟分类的信息。在一些实施例中，该预设电压的微分决定该信号的预设回转率。在一些实施例中，该机器学习电路还包括一测量电路。该测量电路经配置以通过实际测量该信号来提供该实际电压。在一些实施例中，该测量电路包括一取样保持电路、一第二取样保持电路以及一减法器电路。该取样保持电路经配置以取样该信号的一电压。该第二取样保持电路经配置以取样该信号的一第二电压。该减法器电路经配置以通过从该第二电压中减去该电压来提供该实际电压。在一些实施例中，该实际电压的微分决定该信号的实际回转率。在一些实施例中，该机器学习电路还包括一加法器电路。该加法器电路经配置以通过将反映该差异的变化加到一预设权重来提供一经更新权重。在一些实施例中，该经学习电压是该经更新权重的函数。在本公开中，一旦进入预测阶段并且在完成该机器学习电路的训练之后，就不再需要人力。使用该机器学习电路来调整回转率是相对方便的。在比较方法中，经配置以测量信号的电压的示波器的尺寸相对较大。此外，需要手动调整回转率。结果，比较方法相对不方便。上文已相当地概述本公开的技术特征及优点。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，欢迎您的来电哦！

sr)调整程序以进行另一次迭代的调整程序以前，使用者采取的步骤。在调整流程中，在操作200中调整信号dout的回转率，直到操作202中产生的信号dout在操作204中的测量满足在操作208中获取的规范，其中使用者于操作206中评估该测量。应当注意，该规范对于操作206中的评估可能是关键的。此外，应该注意，该规范通常是非正式的，并且可以不由图1的使用者应用端12输入。总之，前述操作被迭代地执行，直到经调整回转率满足规范的要求。经配置以测量信号dout的电压的示波器120的尺寸相对较大。此外，需要手动调整回转率。结果，比较方法相对不方便。图3是根据本公开的一些实施例的具有一机器学习电路(machinelearningcircuit，mlc)42的一电路30的示意图。参考图3，电路30包括一ic元件10和包括mlc42的一集成电路元件40。在一些实施例中，ic元件10和ic元件40集成在单个芯片中。在一些实施例中，ic元件10和ic元件40分别集成在不同的芯片中，并且包括ic元件10的芯片及包括ic元件40的芯片被设置在母板上。ic元件10和ic元件40通过母板彼此通信。mlc42经配置以通过机器学习执行一个或多个任务。mlc42经由一互连电路46(例如通信总线)通信地耦合到ic元件10。初，mlc42进入训练阶段。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎新老客户来电！上海收购电子元器件回收收购

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本发明可以采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制)。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗(半固化片开窗，将磁芯所处于的覆铜芯板层之间的半固化片对应所述磁芯槽开窗，这样可以采用厚度更厚的磁环；压合，叠板时在磁芯槽和所述开窗中放入磁环，然后将覆铜芯板与半固化片压合)。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，能达到。本发明能够带来以下优点：实现了更大功率，更高效率的IC集成电源；以少的通道实现了双向信号的传输；基板集成封装工艺一次成型，成本更低。在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本发明创造，但并非限制本发明创造的保护范围。任何没有脱离本发明创造实质内容的对以上叙述的等同替换、修饰改进和/或删繁从简而进行的实施，均落入本发明创造的保护范围。湖北电子元件回收公司

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