在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，有需要可以联系我司哦！青海电子料库存回收行情

存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如，wl1)和工作mtj器件106之间，而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如，wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如，bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示，调节mtj器件504具有尺寸(例如。山东三极管回收厂家上海海谷电子有限公司电子料回收值得用户放心。

contract)，“cb”表示接触件，“vo”表示通孔接触件，“m1”表示线路。栅极绝缘层118可以由氧化硅层、高k介电层或它们的组合形成。多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以跨越多个有源区ac在栅极绝缘层118上延伸，同时覆盖每个有源区ac的上表面和两个侧壁。掩模122可以形成在栅极线pc11、12、13、14、15和16中的每条栅极线上。栅极绝缘层118的侧壁、栅极线pc的侧壁和掩模122的侧壁可以被间隔件124覆盖。具体地讲，间隔件124可以沿着第三方向z沿着栅极绝缘层118、栅极线pc和掩模122延伸。在图12c中所示的截面中，栅极绝缘层118可以沿着第三方向z在栅极线pc与间隔件124之间延伸。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金属氮化物层、金属层、导电覆盖层和间隙填充金属层按顺序堆叠的结构。金属氮化物层和金属层可以包括钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、钌(ru)、铌(nb)、钼(mo)、铪(hf)等。例如，可以通过使用原子层沉积(ald)方法、金属有机ald方法和/或金属有机化学气相沉积(mocvd)方法来形成金属层和金属氮化物层。导电覆盖层可以用作防止金属层的表面氧化的保护层。此外，导电覆盖层可以用作有助于金属层上的另一导电层沉积的粘合层(例如，润湿层(wettinglayer))。

夹层ito涂层作为工作面，四个角上引出四个电极，内层ito为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在金属层上时，由于人体电场，用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触摸屏的四角上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置。所述高频读卡模块通过rfid卡刷卡进行数据传输连接并存储该数据。作为一种实施方式，所述高频读卡模块采用rpd220mdic卡读卡模块,其为符合iso15693的高频()rfid非接触ic卡读写模块。该模块体积小，工作电压宽，使用ttl串口，很容易嵌入到手持设备中。支持协议:iso15693尺寸大小:长x宽x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作电压:～工作频率：支持标签：读卡距离：5～10cm通信接口:ttluart，方便与单片机或嵌入式系统连接。本所述所述录入装置的使用过程为：将单片pcba放到软件录入装置中，扣合装置，程序自动识别主板并录入预置的软件，录入成功显示pass,录入失败则显示fail，非常的方便。针对工厂需求，治具与电脑结合来提升产品的质量，电脑显示工作状态及数据。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，期待您的光临！

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化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中，衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如，硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层904可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图1000所示，在互连层406a的上表面上方形成多个底电极通孔408。多个底电极通孔408由介电层1002围绕。在一些实施例中，介电层1002可以沉积在互连层406a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔408。在各个实施例中，介电层1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔408可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔408上方形成多个mtj器件106、204和206。青海电子料库存回收行情

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