可以在多个mtj器件106、204和206上方沉积第二ild层1102，并且然后选择性地图案化第二ild层1102以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔410。在各个实施例中，第二ild层1102可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔410可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件106、204和206上方的第三ild层1104内形成第二互连层406b。在一些实施例中，第二互连层406b包括限定存储单元202a,1的位线bl1和一条或多条字线wl1至wl2的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层1104可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层1104以在第三ild层1104内形成开口来形成第二互连层406b。然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成第二互连层406b。如图12的截面图1200所示，可以在存储单元202a,1上方形成第二存储单元202b,1。第二存储单元202b。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，期待为您服务！江西电感元件回收网

实施例提供了许多可以在各种具体环境中实施的可应用的发明概念。所讨论的具体实施例说明制造和使用实施例的具体方式，并不限制本公开的范围。在各个视图和说明性实施例中，相同的附图标记经配置以表示相同的元件。现在将详细参考附图中所示的示例性实施例。只要可能，在附图和说明书中使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。在附图中，为了清楚和方便，可夸大形状和厚度。该描述将特别针对形成根据本公开的装置的一部分或更直接地与其配合的元件。应该理解，未具体示出或描述的元件可以采用各种形式。贯穿本说明书对“一些实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一些实施例中”或“在实施例中”不一定指代相同的实施例。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。在附图中，相同的附图标记经配置以在各个视图中指示相同或相似的元件，并且示出和描述了本发明的说明性实施例。附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，附图已被夸大及/或简化，经配置以说明目的。基于以下本发明的说明性实施例。安徽电容电阻回收服务上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收。

多个mtj器件106、204和206分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112与自由层114分隔开的固定层110。在一些实施例中，固定层110可以形成为接触底电极通孔408。在其它实施例中，自由层114可以形成为接触底电极通孔408。多个mtj器件106、204和206中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件106。多个mtj器件106、204和206中的一个或多个包括设置在调节访问装置108内的调节mtj器件204和206，调节访问装置108被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件106的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件106、204和206。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层1002和多个底电极通孔408上方沉积磁固定膜，在磁固定膜上方形成介电阻挡膜，并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件106、204和206。可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件106、204和206。在其它实施例中，可以在不同时间形成多个mtj器件106、204和206。如图11的截面图1100所示，在多个mtj器件106、204和206上方形成多个顶电极通孔410。多个顶电极通孔410由第二ild层1102围绕。在一些实施例中。

8、橡胶塞；9、信号接头；91、母头；92、卡扣；93、；10、减震螺栓；101、螺杆；102、弹簧；103、垫片；104、第二垫片；105、第二弹簧；106、限位块；11、支撑杆；12、紧固螺栓；13、连杆；14、线夹。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-6，本实用新型提供的一种实施例：显示驱动集成电路结构，包括主板1、电子元件2和散热风扇4，主板1的上方焊接有电子元件2，主板1的上方固定有散热板3，散热板3为鳍形设计，通过将散热板3设计为鳍形，可以增加散热板3的散热面积，便于快速的将电子元件2运作产生的热量吸收排出，提高散热效率，散热风扇4的型号为afc1212de。散热板3的上方通过螺丝固定有散热风扇4，主板1的后端设置有输入端5，主板1的正面安装有输出端6，主板1的下方焊接有隔线板7，隔线板7的内部镶嵌有橡胶塞8，橡胶塞8为方形设计，橡胶塞8镶嵌在隔线板7内部均匀开设的方形通孔内。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！

从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1的示意图说明调整信号的回转率的比较方法。图2的流程图说明参考图1所示的比较方法的迭代流程。图3是根据本公开的一些实施例的具有一机器学习电路的一电路的示意图。图4是根据本公开的一些实施例的神经网络的网络示意图，其中该神经网络通过图3的机器学习电路执行任务。图5是根据本公开的一些实施例的通过图3的机器学习电路执行的程序的流程图。图6的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于具有图3的机器学习电路的电路的迭代流程。图7的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的一训练阶段和推断阶段。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎新老客户来电！上海电子芯片回收网

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侧壁间隔件261和262)的节距p3可以等于或者不同于与该心轴图案相邻的心轴图案的两个相对的侧壁间隔件(例如，侧壁间隔件262和263)的节距p4。在一些实施例中，侧壁间隔件261至266的平均节距被减小到抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/2平均节距。在一些实施例中，可以以图4f的结构作为起点来按顺序应用施加空间层和重复蚀刻步骤。参照图4g，可以在介电层220上方、在侧壁间隔件261至266上方以及在侧壁间隔件261至266的侧壁上形成第二间隔层270。换言之，侧壁间隔件261至266可以用作第二心轴图案。在一些实施例中，已经制造261至266以接受材料沉积，然后将蚀刻掉261至266，在原位留下沉积的材料。在介电层220和侧壁间隔件261至266上方设置第二间隔层270。第二间隔层270包括与介电层220和侧壁间隔件261至266不同的一种或更多种材料，使得第二间隔层270针对蚀刻工艺具有不同的蚀刻选择性。可以通过cvd工艺、pvd工艺、ald工艺或其他合适的沉积技术形成第二间隔层270。参照图4h，针对第二间隔层270执行蚀刻工艺，从而定义第二侧壁间隔件271至282。参照图4i，执行具有合适的蚀刻选择性的蚀刻工艺以去除侧壁间隔件261至266，并且保留第二侧壁间隔件271至282。江西电感元件回收网

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