对于从事电源设计的工作中，会遇到各种复杂的电源问题，比如说各个元器件之间的兼容问题，还有就是如何选择替代元器件。要想设计出性能高的开关电源就必须弄懂弄通开关电源中各元器件的类型及主要功能。本文将总结出这部分知识。开关电源**电路中使用的元器件种类繁多，性能各异，大致可分为通用元器件、特种元器件两大类。下面我们解析开关电源设计之电子元器件。一、电阻器1.取样电阻—构成输出电压的取样电路，将取样电压送至反馈电路。2.均压电阻—在开关电源的对称直流输入电路中起到均压作用，亦称平衡电阻。3.分压电阻—构成电阻分压器。4.泄放电阻—断电时可将电磁干扰(EMI)滤波器中电容器存储的电荷泄放掉。5.限流电阻—起限流?；ぷ饔?，如用作稳压管、光耦合器及输入滤波电容的限流电阻。6.电流检测电阻—与过电流保护电路配套使用，用于限制开关电源的输出电流极限。7.分流电阻—给电流提供旁路。8.负载电阻—开关电源的负载电阻(含等效负载电阻)。9.小负载电阻—为维持开关电源正常工作所需要的小负载电阻，可避免因负载开路而导致输出电压过高。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，欢迎您的来电！珠海批量电子元器件回收公司

正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。库存电子元器件回收联系方式上海海谷电子有限公司电子元器件回收获得众多用户的认可。

B）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。C）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化

焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。E）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确?？翘逦露炔怀疃ㄖ担蛊骷て谖榷煽康毓ぷ鳌Ｗ苤繁３⌒в馨踩褂茫⒁獾氖孪钍嵌嘀侄嘌扇〉陌踩胧┮彩歉髦指餮?，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。3、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不*继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流?。é藺左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。电子元器件回收，请选择上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！

属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。7．三极管电极的判别对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×lk电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于PNP型管。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，期待为您服务！武汉电子元器件回收

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常见的A/D、D/A器件有8位，10位，12位，14位，16位等。2)速度：应根据输入信号的高频率来确定，保证转换器的转换速率要高于系统要求的采样频率，满足Nyquist采样定理。3)通道：确认A/D转换需要的通道数量，多路采样的模式，并行还是串行。4)数字接口方式：接口有并行/串行之分，串行又有SPI、I2C、SM等多种不同标准。数值编码通常是二进制，也有BCD（二~十进制）、双极性的补码、偏移码等，推荐SPI和I2C接口。5)模拟信号类型：通常AD器件的模拟输入信号都是电压信号，而D/A器件输出的模拟信号有电压和电流两种。6)极性：根据信号是否过零，还分成单极性（Unipolar）和双极性（Bipolar），优先选择单极性芯片。7)电源电压：有单电源，双电源和不同电压范围之分，早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V，如果选用单+5V电源的芯片则可以使用单片机系统电源，推荐5V供电电压。8)量程确认输入信号在A/D芯片的量程范围内，并能充分利用的量程。9)基准电压：有内、外基准和单、双基准之分，优先有内部基准的芯片。10)功耗：一般CMOS工艺的芯片功耗较低，对于电池供电的手持系统对功耗要求比较高的场合一定要注意功耗指标。11)封装：禁止选用DIP封装，只使用贴片封装。12)/保持。珠海批量电子元器件回收公司

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