6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。在集成电路的一些实施例中,n=1,所述多个单元线路结构包括单元线路结构和第二单元线路结构,第二单元线路结构在方向上与单元线路结构相邻,第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。在集成电路的一些实施例中,所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在集成电路的一些实施例中,所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。在集成电路的一些实施例中,所述多条栅极线通过单图案化、sadp或saqp形成。在集成电路的一些实施例中,单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构包括六条金属线和四条栅极线。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的六条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)形成,并且每个单元线路结构的六条金属线在方向上布置成交替地具有金属节距和第二金属节距。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的四条栅极线通过单图案化形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。通常。电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,有需求可以来电咨询!甘肃批量电子物料回收平台
图4a示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片400的一些实施例的截面图。集成芯片400包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1和第二存储单元202b,1,第二存储单元202b,1邻近于存储单元202a,1横向定位。介电结构404还围绕多个导电互连层406a至406c。在一些实施例中,介电结构404可以包括多个堆叠的ild层。在各个实施例中,多个堆叠的ild层可以包括氧化硅、氟掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅等的一种或多种。在各个实施例中,多个导电互连层406a至406c可以包括铜、铝、钨、碳纳米管等。存储单元202a,1和第二存储单元202b,1分别包括调节访问装置108和工作mtj器件106。调节访问装置108连接至限定多条字线wl1至wl4的互连层406a。多条字线wl1至wl4中的两个连接至图2的存储器阵列102的一行内的相应存储单元。例如,字线wl1至wl2可以连接至行中的存储单元202a,1,并且字线wl3至wl4可以连接至第二行中的第二存储单元202b,1。在一些实施例中,多条字线wl1至wl4可以与衬底402分隔开非零距离d。第二互连层406b布置在调节访问装置108和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至限定位线bl1的第三互连层406c。辽宁电子料库存回收收购上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收,欢迎您的来电!
图7a至图7b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图7a示出了具有以行和列布置的多个存储单元702a,1至702c,3的存储器电路700的一些额外实施例的示意图。多个存储单元702a,1至702c,3分别包括配置为存储数据的工作mtj器件106和配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至工作mtj器件106的同一层的调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。调节mtj器件204连接在多条字线wl1至wl6的条和多条偏置电压线bvl1至bvl3的条之间。第二调节mtj器件206连接在多条位线bl1至bl6的条和多条偏置电压线bvl1至bvl3的条之间。工作mtj器件106连接在多条偏置电压线bvl1至bvl3的条和多条位线bl1至bl6的第二条之间。在操作期间,位线解码器116被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线bl1至bl6,并且字线解码器118被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wl1至wl3和一条或多条偏置电压线bvl1至bvl3。施加的信号使得调节mtj器件204内的电流基于提供给存储器阵列102的整个列的电压而产生。
从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解,可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解,这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时,可得以更了解本公开的公开内容,附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1的示意图说明调整信号的回转率的比较方法。图2的流程图说明参考图1所示的比较方法的迭代流程。图3是根据本公开的一些实施例的具有一机器学习电路的一电路的示意图。图4是根据本公开的一些实施例的神经网络的网络示意图,其中该神经网络通过图3的机器学习电路执行任务。图5是根据本公开的一些实施例的通过图3的机器学习电路执行的程序的流程图。图6的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于具有图3的机器学习电路的电路的迭代流程。图7的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的一训练阶段和推断阶段。电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司。
夹层ito涂层作为工作面,四个角上引出四个电极,内层ito为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在金属层上时,由于人体电场,用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容,对于高频电流来说,电容是直接导体,于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触摸屏的四角上的电极中流出,并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比,控制器通过对这四个电流比例的精确计算,得出触摸点的位置。所述高频读卡模块通过rfid卡刷卡进行数据传输连接并存储该数据。作为一种实施方式,所述高频读卡模块采用rpd220mdic卡读卡模块,其为符合iso15693的高频()rfid非接触ic卡读写模块。该模块体积小,工作电压宽,使用ttl串口,很容易嵌入到手持设备中。支持协议:iso15693尺寸大小:长x宽x高=23(mm)x17(mm)x2mm工作电压:~工作频率:支持标签:读卡距离:5~10cm通信接口:ttluart,方便与单片机或嵌入式系统连接。本所述所述录入装置的使用过程为:将单片pcba放到软件录入装置中,扣合装置,程序自动识别主板并录入预置的软件,录入成功显示pass,录入失败则显示fail,非常的方便。针对工厂需求,治具与电脑结合来提升产品的质量,电脑显示工作状态及数据。上海海谷电子有限公司电子料回收电子料回收服务值得放心。中国台湾库存电子料回收公司
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四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm,四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个,可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlpm23=pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中,wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度,wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度,wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前,可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8,每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下,每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。甘肃批量电子物料回收平台
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