所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联,和能够移除的散热器,所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联,所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面;其中,所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起,使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触,并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中,本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的装置,所述装置包括:两个印刷电路装配件,每个所述印刷电路装配件包括:系统板,所述系统板上的多个印刷电路板插座,多个液体冷却管,每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板,连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块,和多个散热器,每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联;其中,所述印刷电路装配件彼此相对地布置,使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错,并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。在又一个方面中,本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的方法。电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有需求可以来电咨询!天津废弃电子料回收公司
正式揭露了即将与ISSI整并的消息;除了合并ISSI,兆易创新台面下也正积极筹画建厂,兆易创新传出将与中芯前执行长王宁国所主导的合肥长鑫团队共同在合肥建立存储厂。2016年12月1日北京君正晚间发布重组预案,公司拟以发行股份及支付现金的方式购买北京豪威100%股权、视信源100%股权、思比科。交易对价总计133亿元。2016年8月,跨界的A股上市公司方大化工发布重大资产重组方案,公司拟以发行股份及支付现金的方式购买长沙韶光、威科电子、成都创新达三家公司的100%股权。虽然没有获得通过,但是方大化工会继续推动并购重组。11月30日,珠海艾派克科技股份有限公司(“艾派克”)发布《关于重大资产购买完成交割的提示性公告》,宣布以39亿美元的价格完成对品牌打印机及软件公司美国利盟国际100%股权的收购。此次收购由艾派克、太盟投资集团、君联资本共同完成,三家投资方的出资比例分别为、。4、中国资本和企业越洋大收购2016年,在半导体产业整并风潮中未被透露的重要讯息,是几乎每一桩M&A交易背后都有中国投资者的身影…或者是化身总部在美国的股权业者,但幕后都有可追溯至中国的资金。成功的案例有3家,NXP标准器件部门,ISSI和豪威半导体。江苏电感元件回收上海海谷电子有限公司电子料回收值得用户放心。
ge)等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中,基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域,例如,掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例:“pc”表示栅极线,“ca”表示接触件。
可以在多个mtj器件106、204和206上方沉积第二ild层1102,并且然后选择性地图案化第二ild层1102以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔410。在各个实施例中,第二ild层1102可以包括一种或多种介电材料,诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如,硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中,多个顶电极通孔410可以包括导电材料,诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件106、204和206上方的第三ild层1104内形成第二互连层406b。在一些实施例中,第二互连层406b包括限定存储单元202a,1的位线bl1和一条或多条字线wl1至wl2的多个互连结构。在一些实施例中,第三ild层1104可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如,pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如,氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层1104以在第三ild层1104内形成开口来形成第二互连层406b。然后在开口内沉积导电材料(例如,铜和/或铝),以及随后的平坦化工艺(例如,化学机械平坦化工艺)以形成第二互连层406b。如图12的截面图1200所示,可以在存储单元202a,1上方形成第二存储单元202b,1。第二存储单元202b。电子料回收价格优惠,请找上海海谷电子有限公司,欢迎新老客户来电!
其中形成线路图案的至少一个导电层可以插入在栅极层gtl与列导电层ccl之间,和/或至少一个导电层可以设置在列导电层ccl上方。在一些示例实施例中,集成电路还可以包括形成在栅极层gtl与列导电层ccl之间的行导电层中的多条行金属线,使得行金属线布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在栅极层gtl上方依次设置的导电层可以称为m1层、m2层、m3层、m4层等。行导电层可以对应于m1层或m2层,列导电层ccl可以对应于m2层或m3层。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。可以参照图4a至图4i描述与单图案化、sadp和saqp相关联的单元线路结构的节距。参照图4a至图4i描述心轴间隔件图案化(themandrelspacerpatterning)作为示例,但是示例实施例不限于特定的图案化工艺。在本公开中,单图案化、sadp和saqp定义如下。单图案化或直接图案化表示形成与光刻工艺中的曝光图案具有相同的平均节距的目标图案。这里,目标图案包括根据示例实施例的单元线路结构中所包含的栅极线和列金属线。sadp表示形成具有与所述曝光图案的1/2平均节距对应的平均节距的目标图案。saqp表示形成具有与所述曝光图案的1/4平均节距对应的平均节距的目标图案。参照图4a。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收,期待您的光临!上海批量电子物料回收
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本发明涉及集成电路封装技术,特别是一种集成电路基板,所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术:由于新能源的大力发展,隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高,而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率更高,集成度更高,支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装,多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案,电源功率只有%。由于电感量不够大,信号传输不得不采用180MHz的调制信号,电路非常复杂,并且电路中的磁路不闭合,漏磁大,EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现,对于采用微变压器方案的半导体隔离技术,由于微变压器方案电感量,耦合系数太低,也增加了传输电路的复杂程度,集成的电源效率差。有的电容式隔离器,用户需要外加变压器。另外,电容式隔离不能内部集成开关的电源,客户使用不方便。技术实现要素:本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种集成电路基板。天津废弃电子料回收公司
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