固定层110a和自由层114a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元104a,1至104b,2能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件106的电阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低电阻状态，则存储单元104a,1将存储位值(例如，逻辑“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高电阻状态，则存储单元104a,1将存储第二位值(例如，逻辑“1”)。调节访问装置108分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件106的电流的电阻。例如，调节访问装置108a,1被配置为控制提供给工作mtj器件106a,1的电流，第二调节访问装置108b,1被配置为控制提供给第二工作mtj器件106b,1的电流等。调节访问装置108被配置为通过控制提供给工作mtj器件106的电流来选择性地对存储器阵列102内的一个或多个工作mtj器件106提供访问。在一些实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个调节mtj器件109，一个或多个调节mtj器件109分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112b与自由层114b分隔开的固定层110b。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与相关的工作mtj器件106连接的并联连接的调节mtj器件和第二调节mtj器件206。在一些实施例中。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，欢迎客户来电！天津高价电子元器件回收

图3示出了印刷电路板202、集成电路204a、204b、热接口材料206a、206b的层、散热器板208a、208b以及弹性夹210a、210b、210c。所公开的技术的特别值得注意的特征包括散热器板208的顶表面302，所述顶表面由越过印刷电路板202的与连接侧304相对的侧延伸的一个或多个侧板208形成。这些特征将在下面更详细地讨论。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件400a和400b。印刷电路装配件400a和400b中的每个包括系统板402，多个印刷电路板插座平行地安装在系统板上，所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座标记为404。冷却管406邻接地且平行于每个印刷电路板插座404地安装。热接口材料层408在冷却管的与系统板402相对的一侧布置在每个冷却管406上，并且热耦联至该冷却管406。多个双列直插式存储?？樽榧珩盍料低嘲?02，所述双列直插式存储模块组件中的一个双列直插式存储模块组件标记为200。特别地，每个双列直插式存储?？樽榧?00的连接侧304布置在印刷电路板插座404中的一个印刷电路板插座中。当所述两个印刷电路装配件400a和400b相对地放置在一起，如图4b中所示出的那样。重庆电子料高价回收量大从优上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有想法可以来我司咨询！

离散的互连结构限定连接至图2的存储器阵列102的列内的相应存储单元的两条字线wl1至wl2以及连接至图2的存储器阵列102的行内的相应存储单元的位线bl1。在一些实施例中，存储单元202a,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以通过第二多个通孔412b连接至第三互连层406c。在一些实施例中，一个或多个附加存储单元可以布置在存储单元202a,1上方。在这样的实施例中，第四互连层406d在第二存储单元202b,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206正下方延伸为连续结构。第四互连层406d通过第五互连层406e和第三多个通孔412c连接至第二存储单元202b,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。第六互连层406f限定连接至图2的存储器阵列102的列内的相应存储单元的两条字线wl3至wl4以及连接至图2的存储器阵列102的行内的相应存储单元的位线bl2。在一些实施例中，第二存储单元202a,2的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以通过第四多个通孔412d连接至第六互连层406f。在其它实施例(未示出)中，一个或多个附加存储单元可以横向地布置为邻近存储单元202a,1。在一些这样的实施例中。

可以在多个mtj器件106、204和206上方沉积第二ild层1102，并且然后选择性地图案化第二ild层1102以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔410。在各个实施例中，第二ild层1102可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔410可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件106、204和206上方的第三ild层1104内形成第二互连层406b。在一些实施例中，第二互连层406b包括限定存储单元202a,1的位线bl1和一条或多条字线wl1至wl2的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层1104可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)?？梢酝ü≡裥缘厥纯痰谌齣ld层1104以在第三ild层1104内形成开口来形成第二互连层406b。然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成第二互连层406b。如图12的截面图1200所示，可以在存储单元202a,1上方形成第二存储单元202b,1。第二存储单元202b。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有需求可以来电咨询！

在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！北京三极管回收市场

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图8的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的一预测阶段。图9是根据本公开的一些实施例的图3的机器学习电路的电路图。图10是根据本公开的一些实施例的图9的测量电路的电路图。图11是根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路的电路图。图12的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路在图5的训练阶段的示例性操作。图13是根据本公开的一些实施例的信号的回转率的调整方法的流程图。符号说明10集成电路元件12使用者应用端30电路32神经网络34输入36经加权值38结果值40集成电路元件42机器学习电路44使用者界面46互连电路60测量电路70数据库80分类器电路90调整方法92操作94操作96操作98操作102驱动器电路104回转率控制电路120示波器122电压波形124使用者界面200操作202操作204操作206操作208操作310程序312训练阶段314推理/分类阶段316预测阶段500操作502操作504操作600取样保持电路602取样保持电路604减法器800比较器802减法器电路804分压器806加法器电路810反相器812暂存器814乘法器816暂存器din信号dout信号vout实际电压clk时钟信号vl电压v1电压n0节点具体实施方式以下详细讨论本公开的实施方案。然而，应该理解的是。天津高价电子元器件回收

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