四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm，四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个，可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中，wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度，wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。湖北二极管回收

调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问，可以减小存储器阵列内的存储单元(例如，mram单元)的尺寸，因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路100的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路100包括具有多个存储单元104a,1至104b,2的存储器阵列102。多个存储单元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存储器阵列102内。例如，行存储单元包括存储单元104a,1和104a,2，而列存储单元包括存储单元104a,1和104b,1。在一些实施例中，多个存储单元104a,1至104b,2可以包括多个mram单元。多个存储单元104a,1至104b,2(例如，mram单元)分别包括连接至调节访问装置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道结(mtj)，磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层112a与自由层114a分隔开的固定层110a。固定层110a具有固定的磁向，而自由层114a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层110a的磁向平行(即，“p”状态)或反向平行(即，“ap”状态)的磁向。贵州进口晶振回收上海海谷电子有限公司电子料回收值得用户放心。

以及基于该经学习电压，产生经配置以调整回转率的预测。在一些实施例中，该实际电压的微分决定一信号的实际回转率，并且该预设电压的微分决定该信号的预设回转率。在一些实施例中，该经学习电压包括一神经网络的一经加权值。在一些实施例中，该测量电路包括一取样保持电路以及一第二取样保持电路。该取样保持电路经配置以取样一信号的一电压。该第二取样保持电路经配置以取样该信号的一第二电压，其中该实际电压与该电压和该第二电压相关。在一些实施例中，该测量电路还包括一减法器电路。该减法器电路经配置以通过从该第二电压中减去该电压来提供该实际电压。在一些实施例中，该不成熟分类与该参考分类之间的一区别与一神经网络的一权重相关联，并且该经学习电压包括该神经网络的一经加权值。在一些实施例中，该分类器电路还包括一乘法器。该乘法器经配置以通过将该预设电压乘以一经更新权重来产生该经学习电压，其中该经更新权重与一预设权重相关联。在一些实施例中，该经更新权重与该区别和该预设权重之间的代数关系相关联。本公开还提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一比较器以及一减法器电路。该比较器包括一输入端耦合到一实际电压。

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路及其形成方法。背景技术：许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在上电时存储数据，而非易失性存储器能够在断开电源时存储数据。磁阻式随机存取存储器(mram)是用于下一代非易失性存储器技术的一种有前景的候选。技术实现要素：根据本发明的一个方面，提供了一种集成芯片，包括：工作磁隧道结(mtj)器件，连接至位线，其中，所述工作磁隧道结器件被配置为存储数据状态；以及调节访问装置，连接在所述工作磁隧道结器件和字线之间，其中，所述调节访问装置包括被配置为控制提供给所述工作磁隧道结器件的电流的一个或多个调节磁隧道结器件。根据本发明的另一个方面，提供了一种集成电路，包括：互连层，布置在衬底上方的介电结构内，其中，所述互连层通过所述介电结构与所述衬底分隔开；以及工作mtj器件，布置在所述互连层正上方并且被配置为存储数据状态，其中，所述工作mtj器件通过包括多个互连层且不延伸穿过所述衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。根据本发明的又一个方面，提供了一种形成集成电路的方法。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！

本领域普通技术人员将理解本发明的许多可能的应用和变化。除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开的实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。应当理解，例如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应该被理解为或者理解为除非在此明确定义，否则过于正式的意义。机器学习经配置以各种设置以通过使用示例来执行任务。例如，神经网络可经配置以执行没有任务特定编程的任务。也就是说，可以从先前数据训练神经网络以对来自当前数据的信息进行分类或推断。例如，训练数据可经配置以通过分析信号的电压来识别从驾驶员输出端的信号的回转率。虽然使用基于电压的回转率识别作为示例，但这是说明性的，并且任何合适的神经网络任务可以由下面描述的实施例执行。图1的示意图说明调整信号的回转率的比较方法。参考图1，一集成电路(integratedcircuit，ic)元件10包括一驱动器电路102和一回转率控制(slewratecontrol，src)电路104。驱动器电路102经配置以接收一信号din，并通过增加信号din的驱动能力来驱动出ic元件10上的一信号dout。根据src电路104提供的一回转率。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有想法的不要错过哦！江苏晶振回收收购

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可以通过电力轨71与第二电力轨72之间沿第二方向y的距离定义标准单元scl的单元高度ch。可以沿着与电力轨71和72平行的方向x定义标准单元scl的单元宽度cw。线路m1的节距会由于小节距规则而需要满足限制。例如，线路m1会需要根据“前列到侧面”约束和“圆角”约束来满足限制。线路m1的尺寸、布置和间隔可能受到这些约束的限制。下通孔接触件v0和线路m1可以具有阻挡层和线路导电层的堆叠结构。阻挡层可以由例如tin、tan、它们的组合等形成。线路导电层可以由例如w、cu、它们的合金、它们的组合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或电镀方法来形成线路m1和下通孔接触件v0。根据一些示例实施例的集成电路可以对应于各种标准单元的组合。尽管图中未示出，但是根据示例实施例的用于形成单元线路结构的列金属线可以形成在第二层ly2上方的m2层或m3层中。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图13的方法可以包括由设计工具执行的设计集成电路的布图的方法。在一些示例实施例中，设计工具可以包括包含可由处理器执行的多个指令的编程软件，即，以硬件(例如，处理器、asic等)的某种形式实现的软件。参照图13，可以接收定义集成电路的输入数据(s10)。例如。湖北二极管回收

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