碳化硅外延环节呈现美、日两强局面，美国Wolfspeed和日本昭和电工双寡头垄断，此外还有美国II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱电机、意法半导体（ST）、德国英飞凌（Infineon）等企业。国内东莞天域、瀚天天成为主要厂商，晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所、普兴电子、三安光电、启迪半导体、深圳纳设智能等亦有布局，努力推进国产替代。预计2025年全球和国内6寸碳化硅外延设备新增市场空间分别约为130亿元和53亿元美元?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！提高材料性能，创新技术工艺，“中國?國際先進陶瓷展览会：展会将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕。2025年3月10日至12日华东区国际先进陶瓷及粉末冶金展

刻蚀技术是SiC器件研制的关键，刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前，SiC刻蚀多采用干法刻蚀，其中电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因其低压高密度的特点，具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点，而广泛应用。此外，刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度，以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科，及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案，其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！中国上海市先进陶瓷展中國?國際先進陶瓷展览会，2025年3月10-12日与业内精英齐聚上海，为行业加油鼓劲，为展会助力喝彩！

“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析，揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！

相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“中國?國際先進陶瓷展览会”创新应用和解决方案：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“2025中國?國際先進陶瓷展”为行业精英提供学术研究与应用实践的融合平台，2025年3月10日上海见！3月10-12日中国上海市先进陶瓷粉末冶金展览会

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在需要高功率的场景中，常将多颗SiC功率半导体封装到?？橹?，实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型，可分为混合?？楹腿玈iC模块，前者是替换硅基IGBT中的二极管，后者全用SiC芯片，两者在效率、尺寸和成本上有差异；按拓扑方式，可分为三相?？?、半桥?？榈确庾靶问剑话瓷⑷确绞剑煞治ッ胬淙春退胬淙?；按封装外壳类型，可分为转模塑封结构和HPD（gao压聚乙烯塑料）框架结构。随着需求多样化，定制化模块逐渐流行。目前，SiC功率?？槎嘌赜么彻杌鵌GBT封装结构，难以发挥SiC材料特性，面临可靠性和成本等挑战?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10日至12日华东区国际先进陶瓷及粉末冶金展