刻蚀技术是SiC器件研制的关键，刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前，SiC刻蚀多采用干法刻蚀，其中电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因其低压高密度的特点，具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点，而广泛应用。此外，刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度，以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科，及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案，其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！中國?國際先進陶瓷展览会，汇聚前沿技术和产品，助力先進制造业发展。2025年3月10-12日上海世博展览馆见。3月10日至12日上海市国际先进陶瓷行业技术峰会

外延生长技术是碳化硅器件的关键环节，外延质量对器件性能影响很大，碳化硅衬底无法直接制作器件，優质外延工艺可改进微管（Micropipe）、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错（TSD）、贯穿刃型位错（TED）和基平面位错（BPD）等衬底缺陷，减少外延生长缺陷，同时精确控zhi掺杂浓度，提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常，1μm的外延层对应100V左右的耐压；耐压在600V左右时，需要6μm左右的外延层；耐压高于10000V时，外延层厚度需在100μm以上。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！中国上海市先进陶瓷技术专题论坛“中國?國際先進陶瓷展览会”提高材料性能，创新技术工艺。2025年3月10日上海世博展览馆。诚邀您莅临！

在电动汽车主驱逆变器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明显优势，如功率转换效率高、逆变器线圈和电容小型化、降低电机铁损、束线轻量化和节省安装空间等。虽然碳化硅器件价格较高，但其优势可降低整车系统成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci将硅基 IGBT替换为SiC器件，大幅提升汽车逆变器效率，越来越多的车厂如比亚迪、蔚来、小鹏、保时捷等正在转向在电驱中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会、2025上海國際增材制造应用技术展览会和2025上海國際粉体加工与处理展览会同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！

将氧氯化锆、硝酸钇、硝酸铝按比例配置成溶液，氨水为沉淀剂，采用共沉淀法制备出钇稳定氧化锆粉体，加入一定比例的PVA，水为介质，湿法球磨，烘干、造粒，得到可成型的钇稳定氧化锆粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa压力下干压，然后在不同压力下冷等静压成型，将制得的生坯在不同温度下烧结，并保温不同时间，研究等静压压力、烧结温度、保温时间对陶瓷密度、抗弯强度、硬度和断裂韧性的影响。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动孕育无限发展商机IACE CHINA 2025将与第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！中國?國際先進陶瓷展览会，2025年3月10-12日与业内精英齐聚上海，为行业加油鼓劲，为展会助力喝彩！

传统硅器件主要采用高温扩散掺杂，但铝、硼和氮在SiC中扩散系数低，需极高温度，会恶化器件性能。因此，离子注入工艺成为SiC掺杂的優先选择。为实现离子注入区域掺杂浓度均匀，常采用多步离子注入，通过调节注入能量和剂量，控zhi掺杂浓度和深度。离子注入设备是SiC产线难度较高的设备，全球设备厂商少、交期长，国产化率低于10%，是我国碳化硅晶圆线建设的较大瓶颈。國際主流厂商包括美国亚舍立（Axcelis）及应用材料（收购瓦里安），日本爱发科及日清公司，國内厂商主要有中國电科48所（烁科中科信），中车思锐（收购IBS）和凯世通也在介入。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，國内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！如何开拓更有价值的新领域？如何延伸万亿市场应用空间？敬请关注2025年3月10日中國?國際先進陶瓷展览！中国上海市国际先进陶瓷技术发展论坛

先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展，中國?國際先進陶瓷展，3月10日我们共同见证盛会开幕！3月10日至12日上海市国际先进陶瓷行业技术峰会

PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日至12日上海市国际先进陶瓷行业技术峰会