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3月6-8日先进陶瓷技术论坛

来源: 发布时间:2025-01-06

碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法(CVD)、分子束外延法(MBE)、液相外延法(LPE)、脉冲激光淀积和升华法(PLD)等。其中CVD法为普及,该方法能精确控制生长条件,包括气体源流量、温度和压力,从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型,重复性良好,设备适中,为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行,但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法,不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升,厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加;外延层厚度增加,控制均匀性和缺陷密度的难度增加?!暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!“中國?國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英;展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕!3月6-8日先进陶瓷技术论坛

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传统硅器件主要采用高温扩散掺杂,但铝、硼和氮在SiC中扩散系数低,需极高温度,会恶化器件性能。因此,离子注入工艺成为SiC掺杂的優先选择。为实现离子注入区域掺杂浓度均匀,常采用多步离子注入,通过调节注入能量和剂量,控zhi掺杂浓度和深度。离子注入设备是SiC产线难度较的设备,全球设备厂商少、交期长,国产化率低于10%,是我国碳化硅晶圆线建设的较瓶颈。國際主流厂商包括美国亚舍立(Axcelis)及应用材料(收购瓦里安),日本爱发科及日清公司,國内厂商主要有中國电科48所(烁科中科信),中车思锐(收购IBS)和凯世通也在介入。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,國内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!3月6日上海国际先进陶瓷论坛2025年3月10日,让我们相聚中國?國際先進陶瓷展览会,共商共享,共创未来。探索先進制造的万千可能。

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陶瓷是以粘土为主要原料,并与其他天然矿物经过粉碎混炼、成型和煅烧制得的材料以及各种制品,是陶器和瓷器的总称。陶瓷的传统概念是指所有以粘土等无机非金属矿物为原料的人工工业产品。它包括由粘土或含有粘土的混合物经混炼、成形、煅烧而制成的各种制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸盐矿物,因此它与玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工业同属于“硅酸盐工业”的范畴。广义上的陶瓷材料指的是除有机和金属材料以外的其他所有材料,即无机非金属材料。陶瓷制品的品种繁多,它们之间的化学成分、矿物组成、物理性质,以及制 造方法,常?;ハ嘟咏淮?,无明显的界限,而在应用上却有很大的区别。因此,很 难硬性地把它们归纳为几个系统,详细的分类法也说法不一,到现在国际上还没有 一个统一的分类方法。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕! 诚邀您莅临参观!

半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质,在现代科技产业中发挥着至关重要的作用,被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规?;τ玫氖奔渌承蚶纯矗氲继宀牧峡煞治?。与以硅(Si)、锗(Ge)为dai表的一代半导体和以砷化镓(GaAs)为dai表的第二代半导体相比,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征,可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求?!暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!赋能前沿智造,智领行业未来,“中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10日上海共创无限商机!

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碳化硅下游应用场景众多,包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等,而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量,比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,价格有所下降,但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本,短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况,将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响?!暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!“中國?國際先進陶瓷展览会:2025年3月10-12日上海世博展览馆,让我们相聚上海,共同见证盛会开幕!2024第十六届中国国际先进陶瓷产业博览会

“中國?國際先進陶瓷展览会”提高材料性能,创新技术工艺。2025年3月10日上海世博展览馆。诚邀您莅临!3月6-8日先进陶瓷技术论坛

“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结,主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度,经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行,此方法需要较高的烧结温度(超过1000℃)和较长的保温时间。如果烧结温度较低,则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔,材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞,此时材料的电性能较差;烧结温度过高,可能导致晶界的移动速度过快,出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为:陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温,立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比,两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化,在抑制晶界迁移(这将导致晶粒长大)的同时,保持晶界扩散(这是坯体致密化的动力)处于活跃状态,来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间,然后再在较高的温度下保温,后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间,此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。3月6-8日先进陶瓷技术论坛

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