“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结，主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度，经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行，此方法需要较高的烧结温度（超过1000℃）和较长的保温时间。如果烧结温度较低，则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔，材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞，此时材料的电性能较差；烧结温度过高，可能导致晶界的移动速度过快，出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为：陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温，立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比，两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化，在抑制晶界迁移（这将导致晶粒长大）的同时，保持晶界扩散（这是坯体致密化的动力）处于活跃状态，来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间，然后再在较高的温度下保温，后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间，此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。先進制造业新发展格局“中國?國際先進陶瓷展览会：展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕。3月6日先进陶瓷论坛

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件较硅基器件具有更高的工作频率、更高的能量转换效率、更好的散热能力。碳化硅功率器件和功能模块广泛应用于新能源汽车、光伏发电、电源、轨道交通等领域。在新能源汽车领域，碳化硅功率器件主要用于电驱主逆变器、车载充电器（OBC）及DC-DC（直流—直流）转换器。随着新能源汽车需求增长及碳化硅功率器件的普及，其市场规模将进一步扩大。在光伏发电领域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆变器，能提高能量转换效率、降低能量损耗、增加功率密度并解决系统成本。随着光伏电站电压等级从1000V提升至1500V，未来将进一步提升至1700V乃至2000V，在更高的电压等级下，碳化硅功率器件的优势将更加突出。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2024年3月6日中国国际先进陶瓷技术产品展览会先進制造业新发展格局“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆！

外延生长技术是碳化硅器件的关键环节，外延质量对器件性能影响很大，碳化硅衬底无法直接制作器件，優质外延工艺可改进微管（Micropipe）、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错（TSD）、贯穿刃型位错（TED）和基平面位错（BPD）等衬底缺陷，减少外延生长缺陷，同时精确控zhi掺杂浓度，提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常，1μm的外延层对应100V左右的耐压；耐压在600V左右时，需要6μm左右的外延层；耐压高于10000V时，外延层厚度需在100μm以上。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！赋能品质制造，探索万千可能。中國?國際先進陶瓷展览会承载业界期许，2025年3月10-12日诚邀您莅临参观！

碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！中國?國際先進陶瓷展览会，聚焦前沿科技产品的領軍平台。诚邀您2025年3月10日相聚上海，共襄盛会。3月10-12日中国上海市国际先进陶瓷展会

诚邀您参加中國?國際先進陶瓷展览会，展示前沿技术、前沿产品，2025年3月10-12日上海世博展览馆见！3月6日先进陶瓷论坛

我国碳化硅产业虽起步较晚，但近年来，在國家政策推动和地方积极产业布局下，我国逐步形成了覆盖衬底、外延、器件等环节的完整的第三代半导体产业链，并形成了以京津冀、长三角、珠三角等区域的第三代半导体产业集群。其中，京津冀区域集中了清华大学、北京大学、中科院半导体所等相关科研院所，并拥有天科合达、同光晶体、泰科天润、世纪金光等第三代半导体企业，初步形成较为完整的碳化硅产业链；长三角区域目前形成了以苏州为中心的氮化镓全产业链集群和以上海为中心的碳化硅功率半导体企业集群；珠三角区域作为国内集成电路产业资源集中地区，成立了多个研究基地，拥有包括东莞天域、东莞中镓、亚迪半导体等在内的第三代半导体相关企业。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！3月6日先进陶瓷论坛