陶瓷注射成型技术作为一种新兴的精密制造技术，有着其不可比拟的独特优势。成为国内外精密陶瓷零部件中具有优势的先進制备技术。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动孕育无限发展商机IACE CHINA 2025将与第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海国际线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！汇中外優秀企业，展前沿技术产品，“中國?國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日将于上海世博展览馆开幕。2025年3月10日-12日中国上海市国际先进陶瓷技术会议

相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日-12日中国上海国际先进陶瓷技术展览会提高材料性能，创新技术工艺，“中國?國際先進陶瓷展览会：展会将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕。

在需要高功率的场景中，常将多颗SiC功率半导体封装到模块中，实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型，可分为混合模块和全SiC模块，前者是替换硅基IGBT中的二极管，后者全用SiC芯片，两者在效率、尺寸和成本上有差异；按拓扑方式，可分为三相模块、半桥模块等封装形式；按散热方式，可分为单面冷却和双面冷却；按封装外壳类型，可分为转模塑封结构和HPD（gao压聚乙烯塑料）框架结构。随着需求多样化，定制化模块逐渐流行。目前，SiC功率模块多沿用传统硅基IGBT封装结构，难以发挥SiC材料特性，面临可靠性和成本等挑战。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度，而后者会降低热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用（例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳选择。基板（陶瓷）和导体（铜）的热膨胀系数存在很大差异，会在热循环期间对键合区产生压力，进而降低可靠性。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长，设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高，所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下，基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！如何开拓更有价值的新领域？如何延伸万亿市场应用空间？敬请关注2025年3月10日中國?國際先進陶瓷展览！

碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为满足不同芯片功能需求，需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，以及低电阻率（电阻率区间为15~30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件，通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片；导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！提高材料性能，创新技术工艺，“中國?國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日上海世博展览馆！2025年3月10日-12日中国上海市国际先进陶瓷技术会议

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“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！陶瓷基板产品问世，开启散热应用行业的发展，由于陶瓷基板散热特色，加上陶瓷基板具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等优点，随着生产技术、设备的改良，产品价格加速合理化，进而扩大LED产业的应用领域，如家电产品的指示灯、汽车车灯、路灯及户外大型看板等。陶瓷基板的开发成功，更将成为室内照明和户外亮化产品提供服务，使LED产业未来的市场领域更宽广。诚邀您莅临参观！2025年3月10日-12日中国上海市国际先进陶瓷技术会议