相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！深耕行业市场，开拓业务网络，新之联伊丽斯诚邀您相聚2025年3月10日中國?國際先進陶瓷展览会！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷展

碳化硅单晶材料按电学性能分导电型和半绝缘型，而导电型对应同质外延，半绝缘型对应异质外延。同质外延制成SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（缩写为MOS，金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件，适用于电子电力领域如新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电等；在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可制得SiC外延片，用于各类功率器件。异质外延制成HEMT（高电子迁徙率晶体管）等微波射频器件，适用于高频、高温环境如5G通讯、雷达、國?防jun工等领域；在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可制得SiC基GaN外延片用于GaN射频器件?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日至12日中国上海国际先进陶瓷技术专题论坛靠技术腾飞，借展会布局，云集中外品牌的“中國?國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日我们上海见！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率?？槟谑褂玫母餐沾苫宓目煽啃砸恢笔苤朴谔沾山系偷哪忧慷龋笳呋峤档腿妊纺芰?。对于那些整合了极端热和机械应力的应用（例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳选择?；澹ㄌ沾桑┖偷继澹ㄍ┑娜扰蛘拖凳嬖诤艽蟛钜欤嵩谌妊菲诩涠约锨沽Γ档涂煽啃?。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长，设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高，所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下，基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！先進制造业新发展格局“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日上海世博展览馆！

国内碳化硅衬底产品以4英寸和6英寸为主，少数企业实现8英寸量产，与國際厂商仍有一定差距。我国碳化硅产业起步较晚，国内厂商与国外企业在碳化硅衬底产品上存在差距。国内以4英寸和6英寸为主，而國際厂商如Wolfspeed、意法半导体在2023年已能够大批量稳定供应8英寸衬底。国内碳化硅衬底企业天岳先進2024年5月披露，公司8英寸导电型衬底产品已经实现批量交货，将推动头部客户向8英寸转型，但8英寸产品品质和良率与國際厂商还有一定差距?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！“中國?國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英；展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷展

行业精英齐聚一堂，为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日中國?國際先進陶瓷展览会！诚邀您莅临！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷展

传统硅器件主要采用高温扩散掺杂，但铝、硼和氮在SiC中扩散系数低，需极高温度，会恶化器件性能。因此，离子注入工艺成为SiC掺杂的優先选择。为实现离子注入区域掺杂浓度均匀，常采用多步离子注入，通过调节注入能量和剂量，控zhi掺杂浓度和深度。离子注入设备是SiC产线难度较高的设备，全球设备厂商少、交期长，国产化率低于10%，是我国碳化硅晶圆线建设的较大瓶颈。國際主流厂商包括美国亚舍立（Axcelis）及应用材料（收购瓦里安），日本爱发科及日清公司，國内厂商主要有中國电科48所（烁科中科信），中车思锐（收购IBS）和凯世通也在介入。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，國内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷展