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2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术论坛

来源: 发布时间:2024-12-09

碳化硅下游应用场景众多,包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等,而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量,比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,价格有所下降,但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本,短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况,将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!聚焦行业发展前沿,探索业界先進技术,“中國?國際先進陶瓷展览会”:2025年3月10-12日上海世博展览馆!2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术论坛

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“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!陶瓷基板产品问世,开启散热应用行业的发展,由于陶瓷基板散热特色,加上陶瓷基板具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等优点,随着生产技术、设备的改良,产品价格加速合理化,进而扩大LED产业的应用领域,如家电产品的指示灯、汽车车灯、路灯及户外大型看板等。陶瓷基板的开发成功,更将成为室内照明和户外亮化产品提供服务,使LED产业未来的市场领域更宽广。诚邀您莅临参观!2025年3月10至12日中国上海国际先进陶瓷技术高峰论坛先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展,中國?國際先進陶瓷展,3月10日我们共同见证盛会开幕!

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将氧氯化锆、硝酸钇、硝酸铝按比例配置成溶液,氨水为沉淀剂,采用共沉淀法制备出钇稳定氧化锆粉体,加入一定比例的PVA,水为介质,湿法球磨,烘干、造粒,得到可成型的钇稳定氧化锆粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa压力下干压,然后在不同压力下冷等静压成型,将制得的生坯在不同温度下烧结,并保温不同时间,研究等静压压力、烧结温度、保温时间对陶瓷密度、抗弯强度、硬度和断裂韧性的影响。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动孕育无限发展商机IACE CHINA 2025将与第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会(2025年)展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观!

PVT法通过感应加热碳化硅粉料,在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体,通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源,在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶,气相组分在籽晶表面原子沉积,生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下,使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物,带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理,通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长,需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!云集中外杰出供应商的中國?國際先進陶瓷展览会!2025年3月10-12日,新之联伊丽斯诚邀您相聚上海!

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碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法(CVD)、分子束外延法(MBE)、液相外延法(LPE)、脉冲激光淀积和升华法(PLD)等。其中CVD法为普及,该方法能精确控制生长条件,包括气体源流量、温度和压力,从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型,重复性良好,设备适中,为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行,但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法,不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升,厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加;外延层厚度增加,控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!先進制造业新发展格局“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会:2025年3月10-12日上海世博展览馆!2025年3月10日至12日中国上海市先进陶瓷与粉末冶金展览会

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在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术论坛

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