半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10-12日，让我们相聚中國?國際先進陶瓷展览会，共同探索先進陶瓷行业的万千可能！3月10-12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛

碳化硅单晶材料按电学性能分导电型和半绝缘型，而导电型对应同质外延，半绝缘型对应异质外延。同质外延制成SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（缩写为MOS，金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件，适用于电子电力领域如新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电等；在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可制得SiC外延片，用于各类功率器件。异质外延制成HEMT（高电子迁徙率晶体管）等微波射频器件，适用于高频、高温环境如5G通讯、雷达、國?防jun工等领域；在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可制得SiC基GaN外延片用于GaN射频器件?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10-12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛“2025中國?國際先進陶瓷展”为行业精英提供学术研究与应用实践的融合平台，2025年3月10日上海见！

碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内专jia称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國?家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析，揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！

外延生长技术是碳化硅器件的关键环节，外延质量对器件性能影响很大，碳化硅衬底无法直接制作器件，優质外延工艺可改进微管（Micropipe）、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错（TSD）、贯穿刃型位错（TED）和基平面位错（BPD）等衬底缺陷，减少外延生长缺陷，同时精确控zhi掺杂浓度，提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常，1μm的外延层对应100V左右的耐压；耐压在600V左右时，需要6μm左右的外延层；耐压高于10000V时，外延层厚度需在100μm以上?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“中國?國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英：2025年3月10日上海见。诚邀您莅临参观！

随着下游应用端的不断拓展，碳化硅产能供不应求。从全球产能情况来看，近5年内全球碳化硅衬底产能严重不足。2023至2025年处于扩建产能爬坡期，预计2026年新产能大量释放，但释放后也只能满足不足60%的市场需求?？悸俏蠢丛俳ú艿氖奔渲芷?，包括评估、资本募集、建厂、订购设备、产线爬坡等时间需求，更大产能需要在2030年后才能释放。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！第十七届中國國際先進陶瓷展览会， 2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！中国上海市先进陶瓷及粉末冶金展

“中國?國際先進陶瓷展览会”分享行业前沿技术：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！3月10-12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛

在电动汽车主驱逆变器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明显优势，如功率转换效率高、逆变器线圈和电容小型化、降低电机铁损、束线轻量化和节省安装空间等。虽然碳化硅器件价格较高，但其优势可降低整车系统成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci将硅基 IGBT替换为SiC器件，大幅提升汽车逆变器效率，越来越多的车厂如比亚迪、蔚来、小鹏、保时捷等正在转向在电驱中使用碳化硅MOSFET器件?！暗谑呓熘袊?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会、2025上海國際增材制造应用技术展览会和2025上海國際粉体加工与处理展览会同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10-12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛