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2024年第十六届中国国际先进陶瓷技术与设备展

来源: 发布时间:2024-11-05

随着下游应用端的不断拓展,碳化硅产能供不应求。从全球产能情况来看,近5年内全球碳化硅衬底产能严重不足。2023至2025年处于扩建产能爬坡期,预计2026年新产能大量释放,但释放后也能满足不足60%的市场需求。考虑未来再建产能的时间周期,包括评估、资本募集、建厂、订购设备、产线爬坡等时间需求,更大产能需要在2030年后才能释放。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!行业精英齐聚一堂,为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日中國?國際先進陶瓷展览会!诚邀您莅临!2024年第十六届中国国际先进陶瓷技术与设备展

2024年第十六届中国国际先进陶瓷技术与设备展,先进陶瓷

在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!3月6-8日上海国际先进陶瓷展览会“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”:2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!

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“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观!氧化锆陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优良的性能,应用于各个领域中。常压下纯氧化锆有三种晶型,由于晶型转变产生体积变化,造成开裂。加入适量稳定剂,使氧化锆从高温冷却至室温过程中尽可能多的保留四方相,控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相的有效转变。氧化钇稳定氧化锆由于其综合性能好,成为应用较广的氧化锆材料。有研究表明,Y2O3含量在2.5mol%时抗弯强度;在2mol%时断裂韧性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化钇稳定氧化锆为原料,制备出综合性能较高的氧化锆陶瓷,并探讨成型和烧结工艺对氧化锆陶瓷性能的影响,从而为生产提供理论依据,进而生产出高性能的氧化锆结构陶瓷。

注射成型过程中由于工艺参数控制不当,或者是喂料本身缺陷,以及模具设计不合理等因素,容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程,对常见的注射缺陷进行分析,并加以控制,以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷,指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生,可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中,往往是脆断。主要是因为模具温度太低,或者是保压和冷却时间过长,使得坯体温度大幅下降,引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上,在模具顶出机构的强烈冲击下,很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间,在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷,孔洞,指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔,有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔,这是常见的缺陷,注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。“中國?國際先進陶瓷展览会:2025年3月10日与您上海见。分享行业前沿技术、创新应用和解决方案!

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外延生长技术是碳化硅器件的关键环节,外延质量对器件性能影响很大,碳化硅衬底无法直接制作器件,優质外延工艺可改进微管(Micropipe)、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错(TSD)、贯穿刃型位错(TED)和基平面位错(BPD)等衬底缺陷,减少外延生长缺陷,同时精确控zhi掺杂浓度,提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常,1μm的外延层对应100V左右的耐压;耐压在600V左右时,需要6μm左右的外延层;耐压高于10000V时,外延层厚度需在100μm以上。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!聚焦行业发展前沿,探索业界先進技术,“中國?國際先進陶瓷展览会”:2025年3月10-12日上海世博展览馆!2024年3月6日中国国际先进陶瓷及粉末冶金展览会

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国内碳化硅衬底产品以4英寸和6英寸为主,少数企业实现8英寸量产,与國際厂商仍有一定差距。我国碳化硅产业起步较晚,国内厂商与国外企业在碳化硅衬底产品上存在差距。国内以4英寸和6英寸为主,而國際厂商如Wolfspeed、意法半导体在2023年已能够大批量稳定供应8英寸衬底。国内碳化硅衬底企业天岳先進2024年5月披露,公司8英寸导电型衬底产品已经实现批量交货,将推动头部客户向8英寸转型,但8英寸产品品质和良率与國際厂商还有一定差距。“第十七届中國?國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國?國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观!2024年第十六届中国国际先进陶瓷技术与设备展

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