GaN →Gallium Nitride是第三代新型半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、强度和高硬度等特性，在早期广运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信，被誉为第三代半导体材料。随着技术突破成本得到控制，目前氮化镓还被广运用到消费类电子等领域，充电器便是其中一项。简单的说，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力，相同体积下，采用氮化镓技术的充电器比普通充电器输出效率更高。打个比方说，采用氮化镓材料做出来的充电头，体积和苹果5W充电器差不多大小的情况下，能实现更多的输出功率。

氮化镓是一种材料，它与协议无关，目前行业发展快充趋势是PD充电器，所以大部分会应用在PD充电器上。采用氮化镓MOS管的充电器，开关频率可以提升，产品体积比传统的硅MOS管充电器可以减少30~60%（单口输出）重量降低20~40%。