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MOSFET体二极管的反向恢复时间指什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

定义：反向偏置时存储电荷耗尽时间，标准测试条件IF→IR/dI/dt=100A/μs

本回答由 深圳市芯技科技有限公司 提供

深圳市芯技科技有限公司
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简介：深圳市芯技科技有限公司专注于保护器件、MOSFET和二三极管等产品，广泛应用于消费电子等多个领域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    损耗关联：Prr∝Qrr×VRRM×f，芯技Si MOSFET trr<100ns（竞品>150ns）

    本回答由 深圳市芯技科技有限公司 提供

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    同步整流限制：trr决定死区时间下限，芯技低Qrr设计支持tdead=50ns

    本回答由 深圳市芯技科技有限公司 提供

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深圳市芯技科技有限公司

联系人： 黄总

手   机： 18200846735

网   址： http://xjkj666.shop.88360.com

地   址：
广东省深圳市光明区深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路2533号A1栋504
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