晶闸管智能调压器的主要参数：

晶闸管智能调压器的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管智能调压器应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的工作电压和工作电流1.5~2倍。晶闸管智能调压器的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管智能调压器的正常工作。以上就是淄博奥凯电气小编给大家讲解的晶闸管智能调压器的主要参数，希望对你有所帮助！ 奥凯电气拥有先进的产品生产设备，雄厚的技术力量。辽宁可控硅电子调压器

晶闸管智能调压器的使用您学会了吗？

在电子元器件中，运用单向晶闸管智能调压器或者双向晶闸管智能调压器作为家电的开关、因此调压的执行器件都是非常方便的，不仅是这样，而且还可以控制直流、交流电路的负载功率。在这奥凯小编就和大家聊一下晶闸管智能调压器在现实生活中的应用范围以及使用方法：

 如果要让晶闸管智能调压器触发导通，除了要有足够的触发脉冲幅度和正确的极性以外，触发电路和晶闸管智能调压器阴极之间必须有共同的参考点。有些电路从表面看，触发脉冲被加到晶闸管智能调压器的触发极G，但晶闸管智能调压器的阴极和触发信号却无共同参考点，触发信号并未加到晶闸管智能调压器的G—K之间，晶闸管智能调压器不可能被触发。 辽宁可控硅电子调压器我公司将以优良的产品，周到的服务与尊敬的用户携手并进！

3个环式单相自耦调压器共轴配装,即可构成三相自耦调压器。

动圈式调压器：

结构与原理同变压器相似。它通过一个在同一铁心上自身短路的动线圈，沿铁心柱上下移动，以改变另外两个匝数相等而反相串联的线圈的阻抗与电压分配，调节输出电压。

图2为动圈式调压器的接线原理示意。调压器铁心为单相单柱两旁轭式，有时也有三旁轭式。它有一个主线圈1a和一个辅助线圈1b，两者匝数相等，对称地套在铁心柱的上下两半部分，反向串联。主线圈1a和线圈2相互自耦联接,构成自耦变压器形式。线圈3为自身短路的动线圈，套在线圈1a、1b和2的外面。动线圈借传动机构可改变位置，从而可调节输出电压U2。

改变动线圈与主线圈、辅助线圈之间的相对位置，则后两线圈的阻抗随之而变，电源电压U1即按阻抗大小分配于主、辅两线圈上。当动线圈与主线圈完全重合时，主线圈的阻抗为**小，而辅助线圈的阻抗为比较大，这样，U2**小；反之，当动线圈完全重合于辅助线圈时，U2为比较大。当动线圈自上而下逐渐移动,U2即可从0逐渐增至较大值。如将3个动圈式调压器单元装在同一底座上,并共用一个传动机构,即可按三相接法（一般为Y接法）联成三相动圈式调压器。

可控硅整流器简介

    可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说，它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极，典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断态，即伏安特性一象限中虚线下的实线部分).当正向瞬间电压大于转折电压时，器件迅速转变到低电压大电流的通导状态.

    处于正向阻断态的器件，如果给予控制极一低功率的触发信号(使控制极-阴极PN结导通)，则器件可迅速被激发到导通状态，之后毋须继续保持触发电流即可维持在通导状态，此时若将电流降至维持电流(伏安特性虚线处)以下，器件可恢复到阻断状态. 奥凯电气产品适用范围广，产品规格齐全，欢迎咨询。

三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能；可控硅调压器：是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以**控制电路为**的电源功率控制电器。简称晶闸管调功器。又称晶闸管调功器，晶闸管调压器，晶闸管调整器，可控硅调功器，可控硅调整器，具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。可广泛应用于工业各领域的电压、电流、功率的调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧等。奥凯电气始终以适应和促进工业发展为宗旨。辽宁可控硅电子调压器

奥凯电气可靠的质量保证体系和经营管理体系，使产品质量日趋稳定。辽宁可控硅电子调压器

保护可控硅调压器的几种方法

可控硅调压器在工业成产中十分常见，也是电气行业不可缺少的设备之一，同时，它也比较容易因为各种原因而损坏。下面奥凯小编就给大家说一下保护可控硅调压器的几种方法有哪些，感兴趣的小伙伴一起来看看吧：

一、过电压的保护

1)、可控硅调压器对电压十分的敏感，当正向电压超过其短态重复峰值电压UDRM一定的数值时可控硅调压器就会发生误导通，从而引发电路故障；而当反向电压超过其反向重复峰值电压UDRM一定的数值时，可控硅调压器就会立即损坏。

2）、过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管是很危险的。所以要谨慎注意。 辽宁可控硅电子调压器

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