随着物联网时代越来越深入人心，不断的开发和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，减少批量要求和初始投资，并在系统简化方面呈现积极趋势。此外，制造越来越大的单片SoC的推动力开始在设计验证和可制造性方面遇到障碍，因为拥有更大的芯片会导致更大的故障概率，从而造成更大的硅晶圆损失。从IP方面来看，SiP是SoC的未来替代品，因为它们可以集成较新的标准和协议，而无需重新设计。此外，SiP方法允许更快、更节能的通信和电力输送，这是在考虑Si应用的长期前景时另一个令人鼓舞的因素。随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。山西WLCSP封装型式

系统级封装的简短历史，在1980年代，SiP以多芯片模块的形式提供。它们不是简单的将芯片放在印刷电路板上，而是通过将芯片组合到单个封装中来降低成本和缩短电信号需要传输的距离，通过引线键合进行连接的。半导体开发和发展的主要驱动力是集成。从SSI（小规模集成 - 单个芯片上的几个晶体管）开始，该行业已经转向MSI（中等规模集成 - 单个芯片上数百个晶体管），LSI（大规模集成 - 单个芯片上数万个晶体管），ULSI（超大规模集成 - 单个芯片上超过一百万个晶体管），VLSI（超大规模集成 - 单个芯片上数十亿个晶体管），然后是WSI（晶圆级集成 - 整体）晶圆成为单个超级芯片）。所有这些都是物理集成指标，没有考虑所需的功能集成。因此，出现了几个术语来填补空白，例如ASIC（专门使用集成电路）和SoC（片上系统），它们将重点转移到更多的系统集成上。南通芯片封装定制价格构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。

异形元件处理，Socket / 层叠型等异形元件，因便携式产品的不断发展，功能集成越来越多，势必要求在原SIP工艺基础上，增加更多功能模块，传统的电容电阻已无法满足多功能集成化要求，因此需要引入异形元件进行扩展，因此如何在精密化的集成基板上，进行异形元件的贴装，给工艺带来不小挑战，这就要求设备精度高，稳定性好，处理更智能化方可满足。成本，前期投入大，回报周期长，工艺复杂，人工成本高，产品良率低，耗损大。需要大型，稳定，利润率较大的项目方能支撑SIP技术的持续运行。

3D主要有三种类型：埋置型、有源基板型、叠层型。其中叠层型是 当前普遍采用的封装形式。叠层型是在2D基础上，把多个裸芯片、封装芯片、多芯片组件甚至圆片进行垂直互连，构成立体叠层封装。可以通过三种方法实现：叠层裸芯片封装、封装堆叠直连和嵌入式3D封装。业界认定3D封装是扩展SiP应用的较佳方案，其中叠层裸芯片、封装堆叠、硅通孔互连等都是当前和将来3D封装的主流技术。并排放置（平面封装）的 SiP 是一种传统的多芯片模块封装形式，其中使用了引线键合或倒装芯片键合技术。在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。

SiP的未来趋势和事例，人们可以将SiP总结为由一个衬底组成，在该衬底上将多个芯片与无源元件组合以创建一个完整的功能单独封装，只需从外部连接到该封装即可创建所需的产品。由于由此产生的尺寸减小和紧密集成，SiP在MP3播放器和智能手机等空间受限的设备中非常受欢迎。另一方面，如果只要有一个组件有缺陷，整个系统就会变得无法正常工作，从而导致制造良率下降。尽管如此，推动SiP更多开发和生产的主要驱动力是早期的可穿戴设备，移动设备和物联网设备市场。在当前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其数量低于成熟的企业和消费类SoC市场。SiP系统级封装作为一种集成封装技术，在满足多种先进应用需求方面发挥着关键作用。山西WLCSP封装型式

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术。山西WLCSP封装型式

SiP以后会是什么样子的呢？理论上，它应该是一个与外部没有任何连接的单独组件。它是一个定制组件，非常适合它想要做的工作，同时不需要外部物理连接进行通信或供电。它应该能够产生或获取自己的电力，自主工作，并与信息系统进行无线通信。此外，它应该相对便宜且耐用，使其能够在大多数天气条件下运行，并在发生故障时廉价更换。随着对越来越简化和系统级集成的需求，这里的组件将成为明天的SiP就绪组件，而这里的SiP将成为子系统级封装（SSiP）。SiP就绪组件和SSiP将被集成到更大的SiP中，因为系统集成使SiP技术越来越接近较终目标：较终SiP。山西WLCSP封装型式