模拟模块无法从较低的工艺集成中受益。正因为如此，并且由于试图将模拟模块保留在sperate工艺技术（BCD，BiCMOS，SiGe）上的复杂性增加，这使得SiP成为缩小系统尺寸的更具吸引力的选择。天线、MEMS 传感器、无源元件（例如：大电感器）等外部器件无法装入 SoC。因此，工程师需要使用SiP技术为客户提供完整的解决方案。交付模块而不是芯片是一种趋势，由于无线应用（如蓝牙模块）而开始，以帮助客户快速进入市场，而无需从头开始设计。相反，他们使用由整个系统组成的SiP模块。SiP封装基板具有薄形化、高密度、高精度等技术特点。贵州SIP封装方案

系统级封装（SiP）技术种类繁多，裸片与无源器件贴片，植球——将焊锡球置于基板焊盘上，用于电气连接，回流焊接（反面）——通过控制加温熔化焊料达到器件与基板间的，键合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及器件，减薄——通过研磨将多余的塑封材料去除，BGA植球——进行成品的BGA（球栅阵列封装）植球，切割——将整块基板切割为多个SiP成品。通过测试后的芯片成品，将被集成在各类智能产品内，较终应用在智能生活的各个领域。北京MEMS封装服务商SiP系统级封装作为一种集成封装技术，在满足多种先进应用需求方面发挥着关键作用。

Sip这种创新性的系统级封装不只大幅降低了PCB的使用面积，同时减少了对外围器件的依赖。更为重要的是，SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗，使得电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能表现。据Yole报告，2022年，SiP系统级封装市场总收入达到212亿美元。受5G、人工智能、高性能计算、自动驾驶和物联网等细分市场的异构集成、芯粒、封装尺寸和成本优化等趋势的推动，预计到2028年，SiP系统级封装市场总收入将达到338亿美元，年复合增长率为8.1%。

SIP类型，从目前业界SIP的设计类型和结构区分，SIP可分为以下几类。2D SIP，2D封装是指在基板的表面水平安装所有芯片和无源器件的集成方式。以基板（Substrate）上表面的左下角为原点，基板上表面所处的平面为XY平面，基板法线为Z轴，创建坐标系。2D封装方面包含FOWLP、FOPLP和其他技术。物理结构：所有芯片和无源器件均安装在基板平面，芯片和无源器件与XY平面直接接触，基板上的布线和过孔位于XY平面下方。电气连接：均需要通过基板（除了极少数通过键合线直接连接的键合点）。SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术。

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。SiP系统级封装技术将处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等多功能器件整合在同一基板上。天津WLCSP封装

SiP封装基板半导体芯片封装基板是封装测试环境的关键载体。贵州SIP封装方案

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术，封装成型可依据客户设计制作不同形状模块，甚至是3D立体结构，藉此可将整体尺寸缩小，预留更大空间放置电池，提供更大电力储存，延长产品使用时间，但功能更多、速度更快，因此特别适用于射频相关应用如5G毫米波模块、穿戴式装置及汽车电子等领域。微小化制程三大关键技术，在设计中元器件的数量多寡及排布间距，即是影响模块尺寸的较主要关键。要能够实现微小化，较重要的莫过于三项制程技术：塑封、屏蔽及高密度打件技术。贵州SIP封装方案