压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用??榉庾靶问?,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅??榈睦嘈头浅5亩?,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅??榈?,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅??榭梢宰龅?60A电流,同时压接式??榈牡缌骶湍芄淮锏?200A,这就是讲低于160A的??椋恢皇怯泻附邮降模币灿醒菇邮降摹?煽毓枘?棰诖油庑畏矫胬唇?,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅??榈氖谐≌加新适欠浅4蟮?,有不少的公司都会使用压接式可控硅??椋馄渲械脑蚩赡苁褂捎谄渫庑问值拿拦?,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有:全系列功率???MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。正高电气展望未来,信心百倍,追求高远。北京三相整流调压??樯Ъ?/p>
按规定应采用风冷的??槎捎米岳涫?,则电流的额定值应降低到原有值的30~40[%],反之如果改为采用水冷时,则电流的额定值可以增大30~40[%]。为了帮助用户合理选择散热器和风机,我们确定了不同型号??樵谄涠疃ǖ缌鞴ぷ髯刺?,环境温度为40℃时所需的散热器长度、风机规格、数量及散热器基础参数等,请参考说明书。另外,在表内出具了每个型号的??樵诜逯笛菇?、比较大标称电流和阻性负载条件下的功耗值,以便于用户自己确定散热器尺寸时做参考。在实际应用中,应注意以下几点:(1)轴流风机风速应≥6m/s。(2)若??榇锊坏铰汉晒ぷ?,可酌减散热器长度。(3)在设备开机前,应检查??樗新荻な欠窭喂蹋粲兴啥ε〗袈荻?,以使模块底板和散热器表面以及模块电极和接线端子之间都能够紧密接触,达到比较好散热效果。(4)采用自然冷却形式时,必须保证散热器周围的空气能够自然对流。(5)因水冷散热效果好,有水冷条件的,应优先水冷散热形式。泰安大功率晶闸管??榧鄹?/a>正高电气以质量为生命”保障产品品质。
晶闸管??榈缌鞴娓竦难∪?
1、根据负载性质及负载额定电流进行选取
(1)电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。
(2)感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。
(3)负载电流变化较大时,电流倍数适当增大。
(4)在运行过程中,负载的实际工作电流不应超过??榈慕洗蟮缌鳌?
2、散热器风机的选用
??檎9ぷ魇北匦肱浔干⑷绕骱头缁?,推荐采用厂家配套的散热器和风机。如果用户是自己提供的,则使用以下原则来选择:
(1)??檎9ぷ魇保匦肽鼙Vだ淙吹装逦露炔怀?5℃;
(2)当模块负载较轻时,可减小散热器的尺寸或采用自然冷却;
(3) 有水冷条件的,应优先水冷散热 。
3、使用要求
(1)工作场所环境温度范围:-25℃~+45℃;
(2)??橹芪枰稍?、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。
(3)模块电极上的铜线严禁不用端子直接压接,以免接触不良引起附加发热。
(4)应经常测量固体继电器导热衬底侧或固态继电器附近散热器的表面温度,测点温度应小于80℃。
它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力??晒囟暇д⒐芤彩粲赑NPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成??樾问?。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极。正高电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。
软恢复快速整流管(FRD),旋转整流管(ZX),大功率组合整流元件,普通晶闸管(KP),快速晶闸管(KK),双向晶闸管(KS),逆导晶闸管(KN),可关断晶闸管(GTO),电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件,各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源,充电电源,电机调速,感应加热及热处理等各种整流、逆变和变频领域。我公司所生产的电力电子器件成功的替代了多种进口器件,实现了自动轧机原器件的国产化;6K、6G、8K、8G电力机车原器件也全部由我公司国产化,使用寿命超过了进口元件。在自动控制方面,我公司成功开发出各种工控板,应用在各种不同的场合,真正形成了控制方式灵活,?;て肴?,可靠性高的优势。与??榻岷峡⒘酥悄苣?椤9惴河τ糜诓煌幸蹈髦至臁T谏⑷绕鞣矫婀境晒⒘?,通过努力已进入了国内的输变电行业、机车行业所需的**市场。正高电气我们完善的售后服务,让客户买的放心,用的安心。泰安大功率晶闸管??榧鄹?/a>
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当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。。2)直流侧产生的过电压如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大,都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。。北京三相整流调压??樯Ъ?/p>
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